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浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：山东大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Schottky-barrier thin-film transistors based on HfO2-capped InSe 期刊论文 Applied Physics Letters, 2019, 卷号: 115, 期号: 3 作者:  Wang, Yiming;  Zhang, Jiawei;  Liang, Guangda;  Shi, Yanpeng;  Zhang, Yifei 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/11 Schottky-barrier thin-film transistors based on HfO2-capped InSe 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2019, 卷号: 115, 期号: 3 作者:  Wang, Yiming;  Zhang, Jiawei;  Liang, Guangda;  Shi, Yanpeng;  Zhang, Yifei 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/11 Stable InSe transistors with high-field effect mobility for reliable nerve signal sensing 期刊论文 NPJ 2D MATERIALS AND APPLICATIONS, 2019, 卷号: 3 作者:  Jiang, Jianfeng;  Li, Jingxin;  Li, Yutao;  Duan, Jiazhzhi;  Li, Linshen 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/11 Tunable electronic properties of an Sb/InSe van der Waals heterostructure by electric field effects 期刊论文 PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS, 2019, 卷号: 21, 期号: 10, 页码: 5627-5633 作者:  Zhang, Zhihui;  Zhang, Yan;  Xie, Zifeng;  Wei, Xing;  Guo, Tingting 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/12/11 Direct Z-scheme photocatalytic overall water splitting on 2D CdS/InSe heterostructures 期刊论文 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2018, 卷号: 51, 期号: 39 作者:  Fan, Yingcai;  Yang, Bo;  Song, Xiaohan;  Shao, Xiaofei;  Zhao, Mingwen 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/11 first-principle calculation  CdS/InSe heterostructure  photocatalyst  water splitting  direct Z-scheme   Theoretical Design of an InSe/GaTe vdW Heterobilayer: A Potential Visible-Light Photocatalyst for Water Splitting 期刊论文 JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, 2018, 卷号: 122, 期号: 49, 页码: 27803-27810 作者:  Fan, Yingcai;  Ma, Xikui;  Liu, Xiaobiao;  Wang, Junru;  Ai, Haoqiang 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/12/11 Silicene and germanene on InSe substrates: structures and tunable electronic properties 期刊论文 PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS, 2018, 卷号: 20, 期号: 16, 页码: 11369-11377 作者:  Fan, Yingcai;  Liu, Xiaobiao;  Wang, Junru;  Ai, Haoqiang;  Zhao, Mingwen 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/11 Improved performance of InSe field-effect transistors by channel encapsulation 期刊论文 SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2018, 卷号: 33, 期号: 6 作者:  Liang, Guangda;  Wang, Yiming;  Han, Lin;  Yang, Zai-Xing;  Xin, Qian 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/11 InSe  2D semiconductor  bias stress  PMMA encapsulation   Engineering a topological phase transition in beta-InSe via strain 期刊论文 NEW JOURNAL OF PHYSICS, 2013, 卷号: 15 作者:  Ma, Yandong;  Dai, Ying;  Yu, Lin;  Niu, Chengwang;  Huang, Baibiao 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/23 Engineering a topological phase transition in β-InSe via strain 期刊论文 New Journal of Physics, 2013, 卷号: 15 作者:  Ma Y.;  Dai Y.;  Yu L.;  Niu C.;  Huang B. 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/23