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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：高能物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effect of In incorporation parameters on the electroluminescence of blue-violet InGaN/GaN multiple quantum wells grown by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2012, 卷号: 540, 页码: 46-48 作者:  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Le, LC;  Wu, LL;  Li, L 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2016/04/08 Nitride materials  Crystal growth  X-ray diffraction   An experimental study about the influence of well thickness on the electroluminescence of InGaN/GaN multiple quantum wells 期刊论文 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2010, 卷号: 489, 期号: 2, 页码: 461-464 作者:  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Zhu, JJ;  Wang, H;  Liu, ZS 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2016/06/28 Nitride materials  Crystal growth  X-ray diffraction   Research on AlInGaN Quaternary Alloys as MQW Barriers in GaN-Based Laser Diodes 期刊论文 SPECTROSCOPY AND SPECTRAL ANALYSIS, 2009, 卷号: 29, 期号: 6, 页码: 1441-1444 作者:  Chen, WH;  Liao, H;  Hu, XD;  Li, R;  Jia, QJ 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2016/06/29 GaN-based LD  Multi-quantum-well (MQW)  AlInGaN  Barrier material   GaN基激光器多量子阱垒材料的研究 期刊论文 光谱学与光谱分析, 2009, 期号: 6, 页码: 1441-1444 作者:  陈伟华;  廖辉;  胡晓东;  李睿;  贾全杰 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2015/12/25 GaN基激光器  多量子阱(MQWs)  AlInGaN  垒材料