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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Interfacial characteristics of fully depleted SiGe-on-insulator (SGOI) substrate fabricated by modified Ge condensation 期刊论文 SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2005, 卷号: 20, 期号: 8, 页码: L31-L35 Di, ZF; Zhang, M; Liu, WL; Luo, SH; Song, ZT; Lin, CL; Lin, Q; Chu, PK 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/03/24 ELECTRON-MOBILITY ENHANCEMENT  STRAINED-SI  DIFFUSION  OXIDATION  GERMANIUM  SILICON  ALLOYS   Effect of ion-induced defects and oxygen concentration in annealing atmosphere on formation of buried oxide layer in SIMOX materials 期刊论文 SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2005, 卷号: 20, 期号: 3, 页码: 305-309 Chen, J; Wang, X; Jin, B; Zhang, E; Sun, J; Wang, X 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2012/03/24 IMPLANTED SILICON  ISOTOPIC EXCHANGE  ON-INSULATOR  SI  TEMPERATURE  DIFFUSION   THE INFLUENCE OF HIGH-DOSE AND ELEVATED-TEMPERATURE IMPLANTATION ON PN-JUNCTION LEAKAGE CURRENT DURING RAPID THERMAL ANNEALING 期刊论文 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 1991, 卷号: 59, 页码: 1098-1102 ZHANG, TH; ZHOU, SH; WU, YG; LUO, Y; ZHOU, ZY 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2012/03/25 DIFFUSION  SILICON