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科研机构
上海微系统与信息技... [75]
内容类型
期刊论文 [75]
发表日期
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专题:上海微系统与信息技术研究所
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85
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95
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Transportation of carriers in silicon implanted SiO2 films during ionizing radiation
期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2012, 卷号: 272, 页码: 266-270
Chen, M
;
Zhang, ZX
;
Wei, X
;
Bi, DW
;
Zou, SC
;
Wang, X
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2013/04/17
Silicon dioxide
Ion implantation
Total ionizing dose
Carrier transportation
Oxygen gettering in Si by He ion implantation-induced cavity layer
期刊论文
NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2009, 卷号: 20, 期号: 4, 页码: 202-207
Ou, X
;
Zhang, B
;
Wu, AM
;
Zhang, M
;
Wang, X
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2012/03/24
BURIED OXIDE LAYERS
SILICON
DISLOCATIONS
GENERATION
VOIDS
AU
The use of nanocavities for the fabrication of ultrathin buried oxide layers
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2009, 卷号: 94, 期号: 1, 页码: 11903-11903
Ou, X
;
Kogler, R
;
Mucklich, A
;
Skorupa, W
;
Moller, W
;
Wang, X
;
Vines, L
收藏
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浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2012/03/24
ION-IMPLANTATION
SOI MOSFETS
SILICON
SI
HELIUM
SEPARATION
DEFECTS
TEMPERATURE
HYDROGEN
BUBBLES
Oxygen gettering in Si by He ion implantation-induced cavity layer
期刊论文
NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2009, 卷号: 20, 期号: 4, 页码: 202-207
Ou, X
;
Zhang, B(重点实验室)
;
Wu, AM
;
Zhang, M(重点实验室)
;
Wang, X(重点实验室)
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2013/05/10
BURIED OXIDE LAYERS
SILICON
DISLOCATIONS
GENERATION
VOIDS
AU
基于STBC与V-BALST的虚拟MIMO方案研究
期刊论文
电子技术应用, 2008, 期号: 05
邱云周
;
丁盛
;
严凯
;
王营冠
;
刘海涛
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2012/01/06
SOI
吸杂
离子注入
纳米孔
Research on total-dose hardening for H-gate PD NMOSFET/SIMOX by ion implanting into buried oxide
期刊论文
CHINESE PHYSICS C, 2008, 卷号: 32, 期号: 2, 页码: 130-134
Qian, C
;
Zhang, ZX
;
Zhang, F
;
Lin, CL
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2012/03/24
SILICON
NANOCRYSTALS
TRAPS
SIO2
PHOTOLUMINESCENCE
IMPLANTATION
CHARGE
Improvement of the radiation hardness of SIMOX buried oxides by silicon ion implantation
期刊论文
HIGH ENERGY PHYSICS AND NUCLEAR PHYSICS-CHINESE EDITION, 2007, 卷号: 31, 期号: 4, 页码: 388-390
He, W
;
Zhang, ZX
;
Zhang, EX
;
Qian, C
;
Tian, H
;
Wang, X
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2012/03/24
Effect of implantation dose and annealing time on the formation of si nanocrystals embedded in thermal oxide
期刊论文
Ion-Beam-Based Nanofabrication, 2007, 卷号: 1020, 页码: 195-200
Qian, C
;
Zhang, ZX
;
Zhang, F
;
Lin, CL
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2012/03/24
SILICON
PHOTOLUMINESCENCE
NANOCLUSTERS
HOLE
Influence of thermal treatment on photolummescence of Er-doped Si-rich SiO2 prepared by ion implantation
期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2006, 卷号: 242, 期号: 1-2, 页码: 279-281
Zhang, CS
;
Sun, JZ
;
Wang, X
;
Zhang, F
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2012/03/24
THIN-FILMS
ERBIUM
LUMINESCENCE
SILICON
Fabrication of silicon-on-SiO2/diamondlike-carbon dual insulator using ion cutting and mitigation of self-heating effects
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2006, 卷号: 88, 期号: 14, 页码: 142108-142108
Di, ZF
;
Chu, PK
;
Zhu, M
;
Fu, RKY
;
Luo, SH
;
Shao, L
;
Nastasi, M
;
Chen, P
;
Alford, TL
;
Mayer, JW
;
Zhang, M
;
Liu, WL
;
Song, ZT
;
Lin, CL
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2012/03/24
SILICON-ON-DIAMOND
IMPLANTATION
TECHNOLOGY
MOSFETS
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