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图形化SOI衬底上侧向外延生长GaN研究 期刊论文
功能材料, 2010, 期号: 07
张波; 陈静; 魏星; 武爱民; 薛忠营; 罗杰馨; 王曦; 张苗
收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2012/01/06
Relaxed SiGe-on-insulator with high Ge fraction obtained by oxidation of SiGe/Si-on-insulator with hydrogen ions implantation 期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2007, 卷号: 253, 期号: 10, 页码: 4472-4476
Cheng, XL; Liu, H; Zhang, F
收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/03/24
InP/InGaAs/InP DHBT structures with N+ doped composite collectors grown by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文
JOURNAL OF CERAMIC PROCESSING RESEARCH, 2006, 卷号: 7, 期号: 2, 页码: 177-179
Xu, AH; Ai, LK; Sun, H; Qi, M; Su, SB; Liu, XY; Liu, XC; Qian, H
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2012/03/24
InGaAs/InP heterostructural materials for opto-electronic integrated circuit receiver application grown by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文
JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY, 2005, 卷号: 46, 页码: S229-S232
Chen, XJ; Xu, AH; Ai, LK; Qi, M
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/03/24
砷化镓微波单片集成电路研究 学位论文
博士: 中国科学院研究生院（上海冶金研究所）  , 2000
程知群
收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2012/03/06
GSMBE grown In0.49Ga0.51P/(In)GaAs/GaAs high hole mobility transistor structures 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1999, 卷号: 201, 页码: 744-748
Chen, JX; Li, AZ; Yang, QK; Lin, C; Ren, YC; Jin, SR; Qi, M; Xu, HG; Chen, XJ
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/03/25
Novel In0.49Ga0.52P/(In)GaAs/GaAs p-type modulation doped heterostructure grown by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1998, 卷号: 193, 期号: 1-2, 页码: 28-32
Chen, JX; Li, AZ; Yang, QK; Lin, C; Ren, YC; Jin, SR; Li, CC; Qi, M
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2012/03/25

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