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上海微系统与信息... [133]
内容类型
期刊论文 [129]
学位论文 [4]
发表日期
2010 [7]
2009 [11]
2008 [12]
2007 [7]
2006 [11]
2005 [10]
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专题:上海微系统与信息技术研究所
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Temperature dependence of photoluminescence from as-grown and plasma-etched InAs0.45P0.55/In0.68Ga0.32As0.45P0.55 strained single quantum well
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2010, 卷号: 491, 期号: 1-2, 页码: 595-598
Cao, M
;
Wu, HZ
;
Lao, YF
;
Cao, CF
;
Liu, C
;
Hu, GJ
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2012/03/24
SUPERLATTICES
LUMINESCENCE
EXCITONS
HETEROSTRUCTURES
ENHANCEMENT
DEPOSITION
EPITAXY
GAN
GaInP-AlInP-GaAs Blue Photovoltaic Detectors With Narrow Response Wavelength Width
期刊论文
IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2010, 卷号: 22, 期号: 12, 页码: 944-946
Zhang, YG(张永刚)
;
Li, C
;
Gu, Y
;
Wang, K
;
Li, HSBY
;
Shao, XM
;
Fang, JX
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/03/24
GAS-SOURCE MBE
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
Horizontally aligned single-walled carbon nanotubes can bridge wide trenches and climb high steps
期刊论文
CHEMICAL ENGINEERING JOURNAL, 2010, 卷号: 157, 期号: 2-3, 页码: 590-597
Rao, FB
;
Zhou, YX
;
Li, TE
;
Wang, YL
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浏览/下载:62/0
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提交时间:2011/12/17
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
R-PLANE SAPPHIRE
GROWTH-MECHANISM
LARGE-SCALE
LONG
TRANSISTORS
ARRAYS
CATALYSTS
SENSORS
InP-based InGaAs/InAlGaAs digital alloy quantum well laser structure at 2 mu m
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2010, 卷号: 19, 期号: 7, 页码: 77304-77304
Gu, Y
;
Wang, K
;
Li, YY
;
Li, C
;
Zhang, YG
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2011/11/03
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
PERFORMANCE
GASB
MBE
High quality GaN film overgrown on GaN nanorods array template by HVPE
期刊论文
MATERIALS LETTERS, 2010, 卷号: 64, 期号: 13, 页码: 1490-1492
Lu, HF
;
Yu, GH
;
Lin, CT
;
Wang, XZ
;
Wang, B
;
Shi, XP
;
Qi, M
;
Li, AZ
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浏览/下载:60/0
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提交时间:2012/03/24
EPITAXY
GROWTH
Effect of nanoporous GaN templates with different pore diameters on the subsequent thick GaN layers by HVPE
期刊论文
SOLID STATE COMMUNICATIONS, 2010, 卷号: 150, 期号: 3-4, 页码: 168-171
Wang, XZ
;
Yu, GH
;
Lin, CT
;
Cao, MX
;
Gong, H
;
Qi, M
;
Li, AZ
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浏览/下载:60/0
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提交时间:2012/03/24
VAPOR-PHASE EPITAXY
LIGHT-EMITTING-DIODES
BUFFER LAYER
GROWTH
FABRICATION
FILMS
Distinction investigation of InGaAs photodetectors cutoff at 2.9 mu m
期刊论文
INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2010, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 173-176
Li, C
;
Zhang, YG(张永刚)
;
Wang, K
;
Gu, Y
;
Li, HSBY
;
Li, YY
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/03/24
VAPOR-PHASE EPITAXY
PHOTODIODES
WAVELENGTH
BUFFER
LAYERS
MOCVD
CAP
EPITAXIAL LATERAL OVERGROWTH OF GaN ON SILICON-ON-INSULATOR
期刊论文
MODERN PHYSICS LETTERS B, 2009, 卷号: 23, 期号: 15, 页码: 1881-1887
Zhang, B
;
Chen, J
;
Wang, X
;
Wu, AM
;
Luo, JX
;
Wang, X
;
Zhang, MA
;
Wu, YX
;
Zhu, JJ
;
Yang, H
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2011/11/04
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
LIGHT-EMITTING-DIODES
SI(111)
FILMS
REDUCTION
GROWTH
SUBSTRATE
STRESS
Exciton localization effect in Mn-implanted GaN by photoluminescence measurements
期刊论文
PHYSICA B-CONDENSED MATTER, 2009, 卷号: 404, 期号: 8-11, 页码: 1222-1225
Meng, XY
;
Zhang, YH
;
Shen, WZ
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2012/03/24
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
MAGNETIC-PROPERTIES
THIN-FILMS
POTENTIAL FLUCTUATIONS
SEMICONDUCTORS
TEMPERATURE
TRANSITIONS
EPILAYERS
LAYERS
LEVEL
Wavelength extended InGaAs/InAlAs/InP photodetectors using n-on-p configuration optimized for back illumination
期刊论文
INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2009, 卷号: 52, 期号: 1, 页码: 52-56
Zhang, YG(张永刚)
;
Gu, Y
;
Tian, ZB
;
Li, AZ
;
Zhu, XR
;
Wang, K
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2012/03/24
VAPOR-PHASE EPITAXY
DARK CURRENT
INGAAS PHOTODETECTORS
INFRARED DETECTORS
PHOTODIODES
EFFICIENCY
BUFFER
MOCVD
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