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上海微系统与信息技... [33]
内容类型
期刊论文 [33]
发表日期
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专题:上海微系统与信息技术研究所
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Realization of 850 V breakdown voltage LDMOS on Simbond SOI
期刊论文
MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2012, 卷号: 91, 页码: 102-105
Wang, ZJ
;
Cheng, XH
;
He, DW
;
Xia, C
;
Xu, DW
;
Yu, YH
;
Zhang, D
;
Wang, YY
;
Lv, YQ
;
Gong, DW
;
Shao, K
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2013/04/17
SOI
Simbond
High voltage device
LDMOS
Characterization and analysis of silicon on insulator fabricated by separation by implanted oxygen layer transfer
期刊论文
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2010, 卷号: 28, 期号: 1, 页码: 163-168
Wei,X
;
Wu,AM
;
Wang,X
;
Li,XY
;
Ye,F
;
Chen,J
;
Chen,M
;
Zhang,B
;
Li,CL
;
Zhang,M
;
Wang,X
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2012/03/24
LOW-DOSE SEPARATION
PSEUDO-MOS TRANSISTOR
BURIED OXIDE LAYERS
THERMAL-OXIDATION
WAFERS
SOI
FILM
SOICMOS
Investigation on Silicon on Insulator Fabricated by Separation by Implanted Oxygen Layer Transfer
期刊论文
JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 2010, 卷号: 157, 期号: 1, 页码: H81-H85
Wei, X
;
Wu, AM
;
Wang, X
;
Li, XY
;
Ye, F
;
Chen, J
;
Chen, M
;
Zhang, B
;
Lin, CL
;
Zhang, M
;
Wang, X
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2012/03/24
LOW-DOSE SEPARATION
BURIED-OXIDE
THERMAL-OXIDATION
FILM
SOI
WAFERS
Gettering layer for oxygen accumulation in the initial stage of SIMOX processing
期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2009, 卷号: 267, 期号: 8-9, 页码: 1273-1276
Ou, X
;
Kogler, R
;
Skorupa, W
;
Moller, W
;
Wang, X
;
Gerlach, JW
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  |  
浏览/下载:9/0
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提交时间:2012/03/24
LOW-DOSE SEPARATION
ON-INSULATOR MATERIAL
BURIED OXIDE
IMPLANTED SILICON
ENERGY
REGION
WAFERS
Oxygen gettering in Si by He ion implantation-induced cavity layer
期刊论文
NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2009, 卷号: 20, 期号: 4, 页码: 202-207
Ou, X
;
Zhang, B
;
Wu, AM
;
Zhang, M
;
Wang, X
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2012/03/24
BURIED OXIDE LAYERS
SILICON
DISLOCATIONS
GENERATION
VOIDS
AU
The use of nanocavities for the fabrication of ultrathin buried oxide layers
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2009, 卷号: 94, 期号: 1, 页码: 11903-11903
Ou, X
;
Kogler, R
;
Mucklich, A
;
Skorupa, W
;
Moller, W
;
Wang, X
;
Vines, L
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2012/03/24
ION-IMPLANTATION
SOI MOSFETS
SILICON
SI
HELIUM
SEPARATION
DEFECTS
TEMPERATURE
HYDROGEN
BUBBLES
Oxygen gettering in Si by He ion implantation-induced cavity layer
期刊论文
NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2009, 卷号: 20, 期号: 4, 页码: 202-207
Ou, X
;
Zhang, B(重点实验室)
;
Wu, AM
;
Zhang, M(重点实验室)
;
Wang, X(重点实验室)
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2013/05/10
BURIED OXIDE LAYERS
SILICON
DISLOCATIONS
GENERATION
VOIDS
AU
Fabrication of thin-film silicon on insulator by separation by implanted oxygen layer transfer
期刊论文
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2008, 卷号: 26, 期号: 6, 页码: L45-L47
Wei, X
;
Wu, AM
;
Chen, M
;
Chen, J
;
Zhang, M
;
Wang, X
;
Lin, CL
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2012/03/24
LOW-DOSE SEPARATION
BURIED-OXIDE
THERMAL-OXIDATION
WAFERS
Fabrication of Silicon-on-Insulator Wafer by SIMOX Layer Transfer
期刊论文
2008 IEEE INTERNATIONAL SOI CONFERENCE, PROCEEDINGS, 2008, 页码: 81-82
Wei, X
;
Zhang, B
;
Chen, M
;
Zhang, M
;
Wang, X
;
Lin, CL
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2012/03/24
LOW-DOSE SEPARATION
BURIED-OXIDE
THERMAL-OXIDATION
Research on total-dose hardening for H-gate PD NMOSFET/SIMOX by ion implanting into buried oxide
期刊论文
CHINESE PHYSICS C, 2008, 卷号: 32, 期号: 2, 页码: 130-134
Qian, C
;
Zhang, ZX
;
Zhang, F
;
Lin, CL
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2012/03/24
SILICON
NANOCRYSTALS
TRAPS
SIO2
PHOTOLUMINESCENCE
IMPLANTATION
CHARGE
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