中国开放科研知识云: 检索

深亚微米器件沟道长度对总剂量辐照效应的影响 期刊论文
物理学报, 2012, 期号: 5, 页码: 92-96
胡志远; 刘张李; 邵华; 张正选; 宁冰旭; 毕大炜; 陈明; 邹世昌

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基于PCRAM的射频标签模拟前端关键电路设计 期刊论文
微电子学, 2012, 期号: 5, 页码: 651-654
王兆敏; 蔡道林; 陈后鹏; 宋志棠; 傅忠谦

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多层堆叠电阻转换存储器结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102185104A, 申请日期: 2011-09-14, 公开日期: 2011-09-14
张挺; 陈婉; 宋志棠; 刘波; 封松林; 陈邦明

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石墨烯基场效应晶体管的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102184849A, 申请日期: 2011-09-14, 公开日期: 2011-09-14
程新红; 张有为; 徐大伟; 王中建; 夏超; 何大伟; 俞跃辉

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一种SOI场效应晶体管的TCAD仿真校准方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102184879A, 申请日期: 2011-09-14, 公开日期: 2011-09-14
柴展; 陈静; 罗杰馨; 伍青青; 王曦

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一种SOI场效应晶体管SPICE模型系列的建模方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102176215A, 申请日期: 2011-09-07, 公开日期: 2011-09-07
陈静; 伍青青; 罗杰馨; 柴展; 王曦

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一种链式相变存储器结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102157197A, 申请日期: 2011-08-17, 公开日期: 2011-08-17
蔡道林; 陈后鹏; 宋志棠

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体引出结构SOI场效应晶体管等效电学模型及建模方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102147828A, 申请日期: 2011-08-10, 公开日期: 2011-08-10
陈静; 伍青青; 罗杰馨; 柴展; 王曦

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一种SOI纵向双极晶体管及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102104063A, 申请日期: 2011-06-22, 公开日期: 2011-06-22
陈静; 罗杰馨; 伍青青; 周建华; 肖德元; 王曦

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