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| 半导体设置及其制造方法及包括该设置的电子设备 专利
专利号: US10115641, 申请日期: 2018-10-30, 公开日期: 2018-04-05
作者: 朱慧珑
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| 半导体器件的制造方法 专利
专利号: US9899270, 申请日期: 2018-02-20, 公开日期: 2014-06-05
作者: 徐秋霞; 朱慧珑; 许高博; 周华杰; 梁擎擎
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| 堆叠纳米线MOS晶体管制作方法 专利
专利号: US9892912, 申请日期: 2018-02-13, 公开日期: 2015-08-13
作者: 殷华湘; 秦长亮; 付作振; 马小龙; 陈大鹏
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| FinFETs on Insulator with Silicided Source/Drain 会议论文
作者: Zhu HL(朱慧珑); Zhao C(赵超); Yin HX(殷华湘); Zhong HC(钟汇才); Zhang QZ(张青竹)
收藏 | 浏览/下载：14/0 | 提交时间：2018/07/26 |
| Study of sigma-shaped source/drain recesses for embedded-SiGe pMOSFETs 期刊论文
Microelectronic Engineering, 2017
作者: Zhu HL(朱慧珑); Xu QX(徐秋霞); Li JF(李俊峰); Zhao C(赵超); Henry Homayoun Radamson
收藏 | 浏览/下载：47/0 | 提交时间：2018/07/09 |
| 鳍式场效应晶体管及其制造方法 专利
专利号: US9679962, 申请日期: 2017-06-13, 公开日期: 2016-06-30
作者: 朱慧珑; 许淼; 赵利川
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2018/07/18 |
| SOI MOS器件的建模方法 专利
专利号: US9626467, 申请日期: 2017-04-18, 公开日期: 2014-01-23
作者: 卜建辉; 韩郑生; 罗家俊; 毕津顺
收藏 | 浏览/下载：21/0 | 提交时间：2018/07/19 |
| Integration of Highly Strained SiGe in Source and Drain with HK and MG for 22 nm Bulk PMOS Transistors 期刊论文
Nanoscale Research Letters, 2017
作者: Wang GL(王桂磊); Ye TC(叶甜春); Henry Homayoun Radamson; Zhao C(赵超); Zhu HL(朱慧珑)
收藏 | 浏览/下载：12/0 | 提交时间：2018/07/05 |
| 半导体器件及其制造方法 专利
专利号: US9548387, 申请日期: 2017-01-17, 公开日期: 2014-01-30
作者: 秦长亮; 殷华湘; 马小龙; 徐秋霞; 陈大鹏
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| Optimization of Selective Growth of SiGe for Source/Drain in 14nm and Beyond Nodes FinFETs 期刊论文
International Journal of High Speed Electronics and Systems, 2017
作者: Henry Homayoun Radamson; Zhu HL(朱慧珑); Yin HX(殷华湘); Qin ZL(秦长亮); Luo J(罗军)
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2018/07/05 |
