QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Back gate impact on SEU Characterization of a Double SOI 4k-bit SRAM 会议论文 作者:  Gao JT(高见头);  Li BH(李彬鸿);  Huang Y(黄杨);  Li B(李博);  Zhao FZ(赵发展) 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2019/05/09 堆叠纳米线MOS晶体管制作方法 专利 专利号: US9892912, 申请日期: 2018-02-13, 公开日期: 2015-08-13 作者:  殷华湘;  秦长亮;  付作振;  马小龙;  陈大鹏 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/03/27 Impact of DSOI back-gate biasing on circuit conducted emission 会议论文 作者:  Han ZS(韩郑生);  Gao JT(高见头);  Li B(李博);  Luo JJ(罗家俊);  Li BH(李彬鸿) 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2018/07/20 半导体结构及其制造方法 专利 专利号: US8716800, 申请日期: 2014-03-06, 公开日期: 2012-07-05 作者:  朱慧珑;  梁擎擎;  骆志炯;  尹海洲 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/05/28 半导体器件的制造方法 专利 专利号: US8664119, 申请日期: 2014-03-04, 公开日期: 2013-02-07 作者:  孟令款;  殷华湘;  徐秋霞;  陈大鹏 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2015/05/27 Impacts of Back Gate Bias Stressing on Device Characteristics for Extremely Thin SOI (ETSOI) MOSFETs 期刊论文 IEEE Electron device letters, 2014 作者:  Yan J(闫江);  Tang ZY(唐兆云);  Tang B(唐波);  Zhao LC(赵利川);  Zhao C(赵超) 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2015/04/24 Stability analysis of a back-gate graphene transistor in air environment 期刊论文 半导体学报, 2013 作者:  Jia KP(贾昆鹏);  Su YJ(粟雅娟);  Yang J(杨杰) 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2014/10/30