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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Correlation between the Decoupling Capacitor Layouts and Single-Event-Upset Resistances of SRAM cells 会议论文 作者:  Zhentao Li;  Zheng ZS(郑中山);  Zhao K(赵凯);  Li B(李博);  Luo JJ(罗家俊) 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/13 Characteristics of Single Event Upsets induced by Heavy Ions in 28nm UTBB-FDSOI SRAM with Several Types of Radiation Harden Bit-cells 会议论文 作者:  Bo Mei;  Qingkui Yu;  Yong Ge;  Yi Sun;  Hongwei Zhang 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/10 Roles of the Gate Length and Width of the Transistors in Increasing the Single Event Upset Resistance of SRAM cells 会议论文 作者:  Han ZS(韩郑生);  Luo JJ(罗家俊);  Zheng ZS(郑中山) 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2018/07/20 Comparison of Decoupling Resistors and Capacitors for Increasing the Single Event Upset Resistance of SRAM Cells 会议论文 作者:  Zheng ZS(郑中山) 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2016/06/15 "Process Impact and Design Optimization on the 期刊论文 ECS Transactions, 2011 作者:  Li M(李萌) 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2012/11/16