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| 半导体器件制造方法 专利
专利号: CN201310184801.3, 申请日期: 2018-09-18, 公开日期: 2014-11-26
作者: 唐兆云 ; 闫江; 唐波; 贾宬; 王大海
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| 半导体器件制造方法 专利
专利号: CN201410360690.1, 申请日期: 2018-09-18, 公开日期: 2016-02-17
作者: 王桂磊; 李俊峰; 赵超
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| 鳍式场效应晶体管及其制造方法 专利
专利号: CN201410838568.0, 申请日期: 2018-09-11, 公开日期: 2016-07-27
作者: 许淼; 朱慧珑; 赵利川
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| 一种半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201410697284.4, 申请日期: 2018-08-31, 公开日期: 2016-06-22
作者: 徐烨锋; 闫江; 陈邦明; 唐兆云; 唐波
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| 半导体器件制造方法 专利
专利号: CN201410360703.5, 申请日期: 2018-07-31, 公开日期: 2016-03-16
作者: 王桂磊; 李俊峰; 赵超
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| 鳍式场效应晶体管及其假栅的制造方法 专利
专利号: CN201410392773.9, 申请日期: 2018-07-10, 公开日期: 2016-02-17
作者: 洪培真; 殷华湘; 朱慧珑; 刘青; 李俊峰
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| 一种沟道替换工艺的监测方法 专利
专利号: CN201410409029.5, 申请日期: 2018-06-01, 公开日期: 2016-02-24
作者: 崔虎山; 卢一泓; 赵超; 李俊峰; 杨涛
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| P型MOSFET的制造方法 专利
专利号: CN201210506496.0, 申请日期: 2018-05-22, 公开日期: 2014-06-11
作者: 周华杰; 梁擎擎; 徐秋霞; 朱慧珑; 许高博
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| 后栅工艺中伪栅器件及半导体器件的形成方法 专利
专利号: CN201310473327.6, 申请日期: 2018-04-06, 公开日期: 2015-04-29
作者: 赵治国; 朱慧珑; 殷华湘
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| 一种MOSFET结构及其制造方法 专利
专利号: CN201310339819.6, 申请日期: 2018-01-30, 公开日期: 2015-02-11
作者: 尹海洲; 张珂珂
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