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SOI工艺FPGA的验证与测试 学位论文
: 中国科学院大学, 2019
作者:  王剑
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一种SOIMOSFET器件的建模方法 专利
专利号: CN201510303560.9, 申请日期: 2018-11-02, 公开日期: 2015-09-30
作者:  卜建辉;  罗家俊;  韩郑生
收藏  |  浏览/下载:30/0  |  提交时间:2019/03/01
Design of Power Clamp Circuit with Diode String and Feedback Enhanced Triggering in advanced SOI BCD Process 会议论文
作者:  Tang HJ(汤红菊);  Cai XW(蔡小五);  Xinghui Liu;  Liu HN(刘海南);  Luo JJ(罗家俊)
收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2019/05/13
Total dose effects of 28nm FD-SOI CMOS transistors 会议论文
作者:  Kuang Y(匡勇);  Bu JH(卜建辉);  Li B(李博);  Gao LC(高林春);  Liang CP(梁春平)
收藏  |  浏览/下载:26/0  |  提交时间:2019/05/10
A low leakage current Tunneling-FET based on SOI 会议论文
作者:  Bu JH(卜建辉);  Li DL(李多力);  Xu GB(许高博);  Cai XW(蔡小五);  Kuang Y(匡勇)
收藏  |  浏览/下载:35/0  |  提交时间:2019/05/13
半导体器件制造方法 专利
专利号: CN201310184801.3, 申请日期: 2018-09-18, 公开日期: 2014-11-26
作者:  唐兆云;  闫江;  唐波;  贾宬;  王大海
收藏  |  浏览/下载:51/0  |  提交时间:2019/03/22
半导体器件制造方法 专利
专利号: CN201310185788.3, 申请日期: 2018-09-18, 公开日期: 2014-11-26
作者:  唐兆云;  闫江
收藏  |  浏览/下载:19/0  |  提交时间:2019/03/22
SOI工艺抗辐照SRAM型FPGA设计与实现 期刊论文
宇航学报, 2018, 卷号: 39, 期号: 9, 页码: 20-26
作者:  刘海南;  韩郑生;  邢龙;  孟祥鹤;  高见头
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Radiation and Annealing Characteristics of Interface traps in SOI NMOSFETs by the Direct-Current Current-Voltage Technique 会议论文
作者:  Li YY(李洋洋);  Li XJ(李晓静);  Li B(李博);  Gao LC(高林春);  Yan WW(闫薇薇)
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一种FinFET结构及其制造方法 专利
专利号: CN201410459571.1, 申请日期: 2018-09-07, 公开日期: 2016-03-16
作者:  尹海洲;  刘云飞;  李睿
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