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新疆理化技术研究所 [9]
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2014 [1]
2013 [2]
2010 [2]
2007 [1]
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Role of the oxide trapped charges in charge coupled device ionizing radiation-induced dark signal
期刊论文
RADIATION PHYSICS AND CHEMISTRY, 2021, 卷号: 189, 期号: 12, 页码: 1-5
作者:
Li, YD (Li, Yudong)
;
Liu, BK (Liu, Bingkai)
;
Wen, L (Wen, Lin)
;
Wei, Y (Wei, Ying)
;
Zhou, D (Zhou, Dong)
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2021/10/14
Radiation effectsTotal ionizing dose (TID)Charge coupled device (CCD)Dark signalOxide trapped charges
SiGe HBT单粒子效应敏感区域分布与加固设计研究
学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2015
作者:
李培
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浏览/下载:61/0
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提交时间:2015/06/15
不同结构SiGe HBT
单粒子效应
三维数值模拟仿真
激光微束试验
伪集电极加固
Simulation and sesign of single event effect radiation hardening for SiGe heterojunction bipolar transistor
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2015, 卷号: 64, 期号: 11
作者:
Li, P (Li Pei)
;
Guo, HX (Guo Hong-Xia)
;
Guo, Q (Guo Qi)
;
Wen, L (Wen Lin)
;
Cui, JW (Cui Jiang-Wei)
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2015/07/11
SiGe heterojunction bipolar transistor
single event effect
hardening design
dummy collector
新型非易失存储器电离辐射效应及机理研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2014
作者:
张兴尧
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浏览/下载:89/0
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提交时间:2014/08/05
新型非易失存储器
传统非易失存储器
总剂量效应
辐射敏感参数
串口型铁电存储器总剂量辐射损伤效应和退火特性
期刊论文
物理学报, 2013, 卷号: 62, 期号: 15, 页码: 347-352
作者:
张兴尧
;
郭旗
;
陆妩
;
张孝富
;
郑齐文
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2013/11/06
铁电存储器
总剂量辐射
退火特性
serial ferroelectric memory ionizing radiation effects and annealing characteristics
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2013, 卷号: 62, 期号: 15, 页码: -
作者:
Zhang Xing-Yao
;
Guo Qi
;
Lu Wu
;
Zhang Xiao-Fu
;
Zheng Qi-Wen
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2013/11/07
ferroelectric random memory
ionizing radiation effects
annealing characteristics
静态随机存储器总剂量辐射效应及评估技术的研究
学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
作者:
李茂顺
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2016/05/26
SRAM
总剂量辐射效应
敏感参数
偏置条件
剂量率
Altera SRAM型FPGA器件总剂量辐射损伤及退火效应
期刊论文
强激光与粒子束, 2010, 卷号: 22, 期号: 11, 页码: 2724-2728
作者:
高博
;
余学峰
;
任迪远
;
王义元
;
李豫东
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2012/11/29
SRAM型FPGA
60Coγ
总剂量辐射损伤效应
退火效应
不同型号的星用Power MOSFET的辐射响应特性
期刊论文
核电子学与探测技术, 2007, 卷号: 27, 期号: 2, 页码: 347-349,334
作者:
刘刚
;
余学锋
;
任迪远
;
牛振红
;
高嵩
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/11/29
PowerMOSFET
阈值电压
总剂量辐射
击穿电压
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