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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：新疆理化技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The Increased Single-Event Upset Sensitivity of 65-nm DICE SRAM Induced by Total Ionizing Dose 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2018, 卷号: 65, 期号: 8, 页码: 1920-1927 作者:  Zheng, QW (Zheng, Qiwen)[ 1 ];  Cui, JW (Cui, Jiangwei)[ 1 ];  Lu, W (Lu, Wu)[ 1 ];  Guo, HX (Guo, Hongxia)[ 1 ];  Liu, J (Liu, Jie)[ 2 ] 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2018/09/27 Charge Sharing  Single-event Upset (Seu)  Static Random Access Memory  Total Ionizing Dose (Tid)   典型运放、比较器的电离和位移损伤的研究 学位论文 硕士, 北京: 中国科学院大学, 2015 作者:  姜柯 收藏  |  浏览/下载：86/0  |  提交时间：2015/06/15 60Coγ辐照源  质子辐射  电子辐射  中子辐射  双极器件  辐射效应   国产PD CMOS/SOI器件和电路的辐照损伤效应及机理研究 学位论文 硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2008 作者:  王改丽 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2014/10/13 PDSOI  SIMOX  总剂量辐射  辐射效应  背沟漏电