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新疆理化技术研究... [363]
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专题:新疆理化技术研究所
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质子辐照下正照式和背照式图像传感器的单粒子瞬态效应
期刊论文
物理学报, 2022, 卷号: 71, 期号: 5, 页码: 182-189
作者:
傅婧1,2,3
;
蔡毓龙4
;
李豫东1,2
;
冯婕1,2
;
文林1,2
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2022/03/17
CMOS图像传感器
质子辐照
单粒子效应
瞬态亮斑
磷化铟高电子迁移率晶体管外延结构材料抗电子辐照加固设计
期刊论文
物理学报, 2022, 卷号: 71, 期号: 3, 页码: 290-297
作者:
周书星1
;
方仁凤1
;
魏彦锋1
;
陈传亮1
;
曹文彧1
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2022/02/18
磷化铟高电子迁移率晶体管
二维电子气
电子束辐照
辐射加固
质子辐照对RADFETs的γ辐照剂量响应的影响研究
期刊论文
核技术, 2022, 卷号: 45, 期号: 1, 页码: 39-45
作者:
马函1,2
;
孙静1
;
何承发1
;
荀明珠1
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2022/01/25
RADFETs
质子辐照
γ剂量标定
陷阱电荷分离
三维数值仿真研究锗硅异质结双极晶体管总剂量效应
期刊论文
物理学报, 2022, 卷号: 71, 期号: 5, 页码: 314-324
作者:
张晋新1
;
王信2
;
郭红霞2,3
;
冯娟1
;
吕玲1
收藏
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浏览/下载:40/0
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提交时间:2022/03/17
锗硅异质结双极晶体管
总剂量效应
三维数值模拟
碳化硅VDMOS的静态和动态辐射损伤及其比较
期刊论文
原子能科学技术, 2022, 卷号: 56, 期号: 4, 页码: 767-774
作者:
冯皓楠1,2,3
;
杨圣1,2,3
;
梁晓雯1,2,3
;
张丹1,2,3
;
蒲晓娟1,2,3
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2022/05/06
碳化硅
总剂量效应
静态参数
动态特性
耗尽层
一种PMOS剂量计零温度系数测量及抑制方法
专利
申请日期: 2021-10-08,
作者:
孙静
;
刘海涛
;
李小龙
;
荀明珠
;
于钢
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2021/12/02
一种基于通道分离的大面阵彩色CMOS图像传感器辐照后饱和灰度值评估方法
专利
申请日期: 2021-10-08, 公开日期: 2021-10-08
作者:
冯婕
;
李豫东
;
文林
;
周东
;
郭旗
收藏
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2021/12/02
CIS单粒子效应机理及模拟试验方法
学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:
蔡毓龙
收藏
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2021/08/27
CMOS图像传感器
单粒子效应
空间辐射效应
Geant4
碳化硅功率MOSFET的工作状态对电离辐射损伤特性的影响研究
学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:
杨圣
收藏
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2021/08/27
SiC功率MOSFET
电离总剂量效应
高功率
开关频率
长期可靠性
一种抗辐射加固SOI材料的总剂量辐射性能评估方法
专利
申请日期: 2021-02-19,
作者:
郑齐文
;
崔江维
;
余学峰
;
李豫东
;
郭旗
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2021/12/02
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