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| 22 nm体硅FinFET热载流子及总剂量效应研究 期刊论文 固体电子学研究与进展, 2020, 卷号: 40, 期号: 5, 页码: 384-388 作者: 王保顺; 崔江维; 郑齐文; 席善学; 魏莹
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| 总剂量辐射环境下微纳器件长期可靠性退化机理探究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019 作者: 赵京昊
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| 星用纳米MOS器件的总剂量辐射效应与NBTI效应研究 学位论文 硕士, 北京: 中国科学院大学, 2016 作者: 余德昭
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| 星用纳米MOS器件的总剂量辐射效应与NBTI效应研究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2016 作者: 余德昭
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| 静态随机存储器总剂量辐射损伤机制及试验方法研究 学位论文 博士, 北京: 中国科学院大学, 2015 作者: 郑齐文
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| 静态随机存储器总剂量辐射损伤机制及试验方法研究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2015 作者: 郑齐文
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:24/0  |  提交时间:2015/06/15
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| 沟道宽长比对深亚微米NMOSFET总剂量辐射与热载流子损伤的影响 期刊论文 物理学报, 2012, 卷号: 61, 期号: 2, 页码: 347-353 作者: 崔江维; 余学峰 ; 任迪远; 卢健
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