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长春光学精密机械与... [14]
内容类型
期刊论文 [14]
发表日期
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专题：长春光学精密机械与物理研究所
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Wave mixing efficiency in InAs/GaAs semiconductor quantum dot optical amplifiers and lasers
期刊论文
Laser Physics Letters, 2022, 卷号: 19, 期号: 11, 页码: 6
作者:
T. Renaud
;
H. M. Huang
;
F. Grillot and D. Bimberg
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提交时间：2023/06/14
Theoretical analysis and modelling of degradation for III-V lasers on Si
期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 2022, 卷号: 55, 期号: 40, 页码: 9
作者:
J. Z. Liu
;
M. C. Tang
;
H. W. Deng
;
S. Shutts
;
L. F. Wang
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浏览/下载：0/0
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提交时间：2023/06/14
Principles of Selective Area Epitaxy and Applications in III-V Semiconductor Lasers Using MOCVD: A Review
期刊论文
Crystals, 2022, 卷号: 12, 期号: 7, 页码: 28
作者:
B. Wang
;
Y. G. Zeng
;
Y. Song
;
Y. Wang
;
L. Liang
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浏览/下载：1/0
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提交时间：2023/06/14
A 1-mu m-Band Injection-Locked Semiconductor Laser with a High Side-Mode Suppression Ratio and Narrow Linewidth
期刊论文
Sensors, 2022, 卷号: 22, 期号: 23, 页码: 11
作者:
J. Q. Chen
;
C. Chen
;
Q. Guo
;
L. Qin
;
J. W. Zhang
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浏览/下载：4/0
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提交时间：2023/06/14
Development and Future of Vertical Cavity Surface Emitting Lasers Operated at High Temperatures (Invited)
期刊论文
Guangzi Xuebao/Acta Photonica Sinica, 2022, 卷号: 51, 期号: 2
作者:
J. Zhang
;
Y. Ning
;
X. Zhang
;
Y. Zhou
;
C. Chen
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浏览/下载：1/0
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提交时间：2023/06/14
Red, Green, and Blue Microcavity Quantum Dot Light-Emitting Devices with Narrow Line Widths
期刊论文
Acs Applied Nano Materials, 2020, 卷号: 3, 期号: 6, 页码: 5301-5310
作者:
L. S. Wang,J. Lin,Y. Lv,B. S. Zou,J. L. Zhao and X. Y. Liu
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浏览/下载：2/0
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提交时间：2021/07/06
Extracting more light for vertical emission: high power continuous wave operation of 1.3-m quantum-dot photonic-crystal surface-emitting laser based on a flat band
期刊论文
Light: Science and Applications, 2019, 卷号: 8, 期号: 1
作者:
H.-Y.Lu
;
S.-C.Tian
;
C.-Z.Tong
;
L.-J.Wang
;
J.-M.Rong
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提交时间：2020/08/24
Photonic crystals,Arsenic compounds,Crystal structure,III-V semiconductors,Indium arsenide,Nanocrystals,Quantum dot lasers,Semiconductor quantum dots,Surface emitting lasers
Static and Dynamic Characteristics of In(AsSb)/GaAs Submonolayer Lasers
期刊论文
Ieee Journal of Quantum Electronics, 2019, 卷号: 55, 期号: 3, 页码: 7
作者:
D.Quandt
;
D.Arsenijevic
;
A.Strittmatte
;
D.H.Bimberg
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提交时间：2020/08/24
Submonolayer (SML),quantum dot (QD),laser diode,high-speed modulation,quantum-well lasers,dot lasers,gain,threshold,Engineering,Physics,Optics
Quantum Confined Indium-Rich Cluster Lasers with Polarized Dual-Wavelength Output
期刊论文
Acs Photonics, 2019, 卷号: 6, 期号: 8, 页码: 1990-1995
作者:
Q.N.Yu
;
M.Zheng
;
H.X.Tai
;
W.Lu
;
Y.Shi
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浏览/下载：4/0
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提交时间：2020/08/24
InGaAs/GaAs,strains,quantum confined lasers,indium-rich clusters,dual wavelengths,polarization,surface-emitting laser,semiconductor-laser,temperature-dependence,segregation,emission,growth,si,Science & Technology - Other Topics,Materials Science,Optics,Physics
Investigation of regime switching from mode locking to Q-switching in a 2 um InGaSb GaAsSb quantum well laser
期刊论文
Optics Express, 2018, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: 8289-8295
作者:
Li, X.
;
Wang, H.
;
Qiao, Z. L.
;
Guo, X.
;
Wang, W. J.
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提交时间：2019/09/17
saturable absorber
dot lasers
femtosecond
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