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Different annealing temperature suitable for different Mg doped P-GaN 期刊论文
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2017
作者:  Liu, S. T.;  Yang, J.;  Zhao, D. G.;  Jiang, D. S.;  Liang, F.
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2018/02/05
Mg concentration profile and its control in the low temperature grown Mg-doped GaN epilayer 期刊论文
Superlattices and Microstructures, 2017
作者:  Liu, S.T.;  Yang, J.;  Zhao, D.G.;  Jiang, D.S.;  Liang, F.
收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2018/02/05
Influence of residual carbon impurities in a heavily Mg-doped GaN contact layer on an Ohmic contact 期刊论文
APPLIED OPTICS, 2017
作者:  Liang, Feng;  Zhao, Degang;  Jiang, Desheng;  Liu, Zongshun;  Zhu, Jianjun
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2018/02/05
Different variation behaviors of resistivity for high-temperature-grown and low-temperature-grown p-GaN films 期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2016, 卷号: 25, 期号: 2
作者:  Yang, J;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Liu, ZS
收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2017/03/11
Photovoltaic Response of InGaN/GaN Multi-quantum Well Solar Cells Enhanced by Reducing p-type GaN Resistivity 期刊论文
IEEE JOURNAL OF PHOTOVOLTAICS, 2016, 卷号: 6, 期号: 2
作者:  Yang, J;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Zhu, JJ
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2017/03/11
Influence of a deep-level-defect band formed in a heavily Mg-doped GaN contact layer on the Ni/Au contact to p-GaN 期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2015, 卷号: 24, 期号: 9, 页码: 5
作者:  Li,XJ;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Zhu, JJ
收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2015/12/31
GaInP/GaAs tandem solar cells with highly Te- and Mg-doped GaAs tunnel junctions grown by MBE 期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2015, 卷号: 24, 期号: 10, 页码: 7
作者:  Zheng, XH(郑新河);  Liu, SJ;  Xia, Y;  Gan, XY;  Wang, HX
收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2015/12/31
Investigation on the compensation effect of residual carbon impurities in low temperature grown Mg doped GaN films 期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014, 卷号: 115, 期号: 16
作者:  Zhang SM(张书明);  Yang H(杨辉);  Liu JP(刘建平);  Yang, J
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2014/12/19
GaAs tunnel junction grown using tellurium and magnesium as dopants by solid-state molecular beam epitaxy 期刊论文
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014, 卷号: 53, 期号: 2
作者:  Yang, H (杨辉);  Lu, SL (陆书龙)
收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2015/02/03
Effects of thin heavily Mg-doped GaN capping layer on ohmic contact formation of p-type GaN 期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2013, 卷号: 28, 期号: 10
作者:  Zhang, BS(张宝顺);  Yang, H(杨辉);  Zhang, SM(张书明)
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2014/01/13

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