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金属研究所 [12]
内容类型
期刊论文 [12]
发表日期
2022 [2]
2019 [2]
2015 [1]
2010 [3]
1994 [2]
1993 [1]
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85
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High-performance gold/graphene/germanium photodetector based on a graphene-on-germanium wafer
期刊论文
NANOTECHNOLOGY, 2022, 卷号: 33, 期号: 34, 页码: 7
作者:
Jiang, Haiyan
;
Li, Bo
;
Wei, Yuning
;
Feng, Shun
;
Di, Zengfeng
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2022/07/14
graphene
germanium
2D material
Fermi-level pinning
photodetector
Fermi-Level Depinning in Metal/Ge Junctions by Inserting a Carbon Nanotube Layer
期刊论文
SMALL, 2022, 页码: 7
作者:
Wei, Yu-Ning
;
Hu, Xian-Gang
;
Zhang, Jian-Wei
;
Tong, Bo
;
Du, Jin-Hong
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  |  
浏览/下载:36/0
  |  
提交时间:2022/07/14
carbon nanotube films
Fermi-level pinning
germanium
metal-induced gap states
ohmic contacts
A vertical silicon-graphene-germanium transistor
期刊论文
NATURE COMMUNICATIONS, 2019, 卷号: 10, 页码: 7
作者:
Liu, Chi
;
Ma, Wei
;
Chen, Maolin
;
Ren, Wencai
;
Sun, Dongming
收藏
  |  
浏览/下载:11/0
  |  
提交时间:2021/02/02
A vertical silicon-graphene-germanium transistor
期刊论文
NATURE COMMUNICATIONS, 2019, 卷号: 10, 页码: 7
作者:
Liu, Chi
;
Ma, Wei
;
Chen, Maolin
;
Ren, Wencai
;
Sun, Dongming
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2021/02/02
The study of interaction and charge transfer at black phosphorus-metal interfaces
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2015, 卷号: 48, 期号: 44, 页码: -
Zhu, Sicong
;
Ni, Yun
;
Liu, Juan
;
Yao, Kailun
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2016/04/21
two dimensional (2D)
black phosphorus (BP)
Schottky barrier height (SBH)
Superconducting gap induced barrier enhancement in a BiFeO3-based heterostructure
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2010, 卷号: 97, 期号: 25, 页码: 3
作者:
Lu, C. L.
;
Wang, Y.
;
You, L.
;
Zhou, X.
;
Peng, H. Y.
收藏
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浏览/下载:8/0
  |  
提交时间:2021/02/02
Superconducting gap induced barrier enhancement in a BiFeO3-based heterostructure
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2010, 卷号: 97, 期号: 25, 页码: 3
作者:
Lu, C. L.
;
Wang, Y.
;
You, L.
;
Zhou, X.
;
Peng, H. Y.
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2021/02/02
Superconducting gap induced barrier enhancement in a BiFeO(3)-based heterostructure
期刊论文
Applied Physics Letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 25
C. L. Lu
;
Y. Wang
;
L. You
;
X. Zhou
;
H. Y. Peng
;
G. Z. Xing
;
E. E. M. Chia
;
C. Panagopoulos
;
L. Chen
;
J. M. Liu
;
J. Wang
;
T. Wu
收藏
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浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2012/04/13
thin-films
nanoscale control
multiferroics
CONTROLLING THE SCHOTTKY-BARRIER HEIGHT OF TI/N-GAAS SCHOTTKY DIODE CONTAINING HYDROGEN BY BIASED ANNEALING
期刊论文
Science in China Series a-Mathematics Physics Astronomy, 1994, 卷号: 37, 期号: 6, 页码: 730-737
S. X. Jin
;
M. H. Yuan
;
L. P. Wang
;
H. Z. Song
;
H. P. Wang
;
G. G. Qin
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/04/14
schottky barrier (sb)
metal-semiconductor (ms) interfaces
hydrogen
zero bias annealing (zba)
reverse bias annealing (rba)
unified defect model
crystalline semiconductors
states
EFFECT OF BIAS ANNEALING ON AU/N-SI SCHOTTKY-BARRIER WITH HYDROGEN INCORPORATION
期刊论文
Journal of Applied Physics, 1994, 卷号: 76, 期号: 9, 页码: 5592-5594
M. H. Yuan
;
Y. Q. Jia
;
G. G. Qin
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2012/04/14
n-type gaas
crystalline semiconductors
ti/n-gaas
states
diodes
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