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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：大连理工大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The n-type Si-based materials applied on the front surface of IBC-SHJ solar cells 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2019, 卷号: 28 作者:  Bao, Jianhui;  Tao, Ke;  Lin, Yiren;  Jia, Rui;  Liu, Aimin 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/12/02 Si-based doped materials  passivation  interdigitated back contact silicon hetero-junction (IBC-SHJ) solar cell  simulation   Preparation of interdigitated back contact solar cell involves forming suede trap structure on silicon wafer, doping, polishing, forming emitter region, printing aluminum paste, oxidizing, forming silicon nitride layer and sintering. 专利 申请日期: 2016-01-01, 公开日期: 2016-09-21 作者:  LI P LIU A WEI Y 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/09