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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：大连理工大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 SOI LIGBT抗闩锁效应的研究与进展 期刊论文 微电子学, 2011, 卷号: 41, 页码: 461-464,478 作者:  苏步春;  张海鹏;  王德君 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/18 绝缘层上硅  横向绝缘栅双极晶体管  闩锁效应   Forward block characteristic of a novel anti-ESD RF SOI LIGBT with a buried P-type layer 会议论文 2011 China-Japan Joint Microwave Conference, CJMW 2011, Hangzhou, 2011-04-20 作者:  Zhang H.P.;  Qi R.S.;  Zhao W.L.;  Zhang H.F.;  Liu G.H. 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/18 Vertical gate RF SOI LIGBT for SPICs with significantly improved latch-up immunity 期刊论文 VLSI Design, 2011, 卷号: 2011, 页码: - 作者:  Zhang H.;  Qi R.;  Zhang L.;  Su B.;  Wang D. 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/18 Vertical gate RF SOI LIGBT without latch-up susceptibility 会议论文 2009 International Semiconductor Device Research Symposium, ISDRS '09, College Park, MD, 2009-12-09 作者:  Zhang H.;  Su B.;  Sun L.;  Wang D. 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/24