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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 专题：大连理工大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Sub-nanosecond pulse programming and device design strategy for analog resistive switching in HfOx-based resistive random access memory 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2019, 卷号: 114 作者:  Hang, Cheng-Zhou;  Wang, Chen;  Gao, Bin;  Chen, Huan;  Xu, Ming-Hong 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/12/02 Electric breakdown  Energy utilization  Hafnium compounds  Integrated circuit design  Intelligent systems  Monte Carlo methods  RRAM, Kinetic monte carlo simulation  Microscopic distribution  Neuromorphic computing  Resistive random access memory  Resistive random access memory (rram)  Resistive switching  Sub-nanosecond pulse  Thermal conductance, Switching   Chemical vapor deposition synthesis of sp(2)-BN film on 2-inch Si substrates for bipolar resistive random access memory device 期刊论文 MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2019, 卷号: 103 作者:  Liang, Hongwei;  Abbas, Qasim;  Chen, Yuanpeng;  Shi, Jianjun;  Xia, Xiaochuan 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/02 sp(2)-BN film  RRAM  Si  CVD   Non-switching to switching transferring mechanism investigation for Ag/SiOx/p-Si structure with SiOx deposited by HWCVD 期刊论文 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2018, 卷号: 51 作者:  Liu, Yanhong;  Wang, Ruoying;  Li, Zhongyue;  Wang, Song;  Huang, Yang 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/02 RRAM  SiOx  HWCVD  conduction mechanism   TEOS的HWCVD法低温沉积氧化硅薄膜及其RRAM特性的研究 学位论文 : 大连理工大学, 2017 作者:  王嵩 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/03 阻变随机存储器  氧化硅薄膜  热丝化学气相沉积  正硅酸乙酯  缺陷态  CMOS工艺   Ultrafast RESET Analysis of HfOx-Based RRAM by Sub-Nanosecond Pulses 期刊论文 ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2017, 卷号: 3 作者:  Wang, Chen;  Wu, Huaqiang;  Gao, Bin;  Wu, Wei;  Dai, Lingjun 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/03 HfOx  RESET  RRAM  sub-nanosecond electronics   Relaxation Effect in RRAM Arrays: Demonstration and Characteristics 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2016, 卷号: 37, 页码: 182-185 作者:  Wang C(王晨);  HQ Wu;  B Gao;  LJ Dai;  N Deng 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/09 The statistical evaluation of correlation between LRS and HRS relaxations in RRAM array 会议论文 8th IEEE International Memory Workshop 作者:  Wang C(王晨);  HQ Wu;  B Gao;  LJ Dai;  D Wu 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/09