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	Hole spin helix: Anomalous spin diffusion in anisotropic strained hole quantum wells 期刊论文 PHYSICAL REVIEW B, 2014, 卷号: 89, 期号: 16 Sacksteder, VE; Bernevig, BA 收藏 \| 浏览/下载：13/0 \| 提交时间：2015/04/14
	Electrical generation of spin in crystals with reduced symmetry 期刊论文 Physical review b, 2005, 卷号: 72, 期号: 4, 页码: 7 作者: Culcer, D; Yao, Y; MacDonald, AH; Niu, Q 收藏 \| 浏览/下载：27/0 \| 提交时间：2019/05/09
	Study of band structure InxGa1-xN/GaN multiple quantum wells by high-resolution electron microscopy and electron holography 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2005, 卷号: 86, 期号: 4 Lu, W; Li, CR; Zhang, Z 收藏 \| 浏览/下载：20/0 \| 提交时间：2013/09/24 CRITICAL LAYER THICKNESS VAPOR-PHASE EPITAXY GAN INTERFACES DENSITY STRAIN
	Effect of misfit dislocation originated from strained layer on photoluminescence properties of InxGa1-xN/GaN multiple quantum wells 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2005, 卷号: 22, 期号: 4, 页码: 971 Lu, W; Li, DB; Li, CR; Chen, G; Zhang, Z 收藏 \| 浏览/下载：15/0 \| 提交时间：2013/09/17 OPTICAL-PROPERTIES RAMAN-SCATTERING SHIFT SEMICONDUCTORS LUMINESCENCE DEPENDENCE EMISSION FILMS DOTS BLUE
	Unit-cell by unit-cell homoepitaxial growth using atomically flat SrTiO3(001) substrates and pulsed laser deposition 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2005, 卷号: 22, 期号: 4, 页码: 1002 Fei, YY; Wang, X; Lu, HB; Yang, GZ; Zhu, XD 收藏 \| 浏览/下载：11/0 \| 提交时间：2013/09/23 MOLECULAR-BEAM EPITAXY ELECTRON-DIFFRACTION OSCILLATIONS THIN-FILMS SURFACE OXIDES
	Effect of critical thickness on structural and optical properties of InxGa1-xN/GaN multiple quantum wells 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2004, 卷号: 95, 期号: 8, 页码: 4362 Lu, W; Li, DB; Li, CR; Shen, F; Zhang, Z 收藏 \| 浏览/下载：11/0 \| 提交时间：2013/09/17 CRITICAL LAYER THICKNESS GAN HETEROSTRUCTURES PHOTOLUMINESCENCE RELAXATION SUBSTRATE DEFECTS FILMS
	Optical transition in SiGe self-organized dots 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 1997, 卷号: 70, 期号: 4, 页码: 446 Chen, H; Cheng, WQ; Xie, XG; Huang, Q; Zhou, JM 收藏 \| 浏览/下载：10/0 \| 提交时间：2013/09/24 MOLECULAR-BEAM EPITAXY PHOTOLUMINESCENCE GROWTH GE SUPERLATTICES SI(100) LAYERS STRAIN
	The growth and luminescence of SiGe dots 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1997, 卷号: 175, 页码: 524 Chen, H; Xie, XG; Cheng, WQ; Huang, Q; Zhou, JM 收藏 \| 浏览/下载：11/0 \| 提交时间：2013/09/23 STRAINED-LAYER SUPERLATTICES MOLECULAR-BEAM EPITAXY PHOTOLUMINESCENCE
	Layer by layer growth of BaTiO3 thin films with extremely smooth surfaces by laser molecular beam epitaxy 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1997, 卷号: 177, 期号: 1-2, 页码: 67 Wang, HS; Ma, K; Cui, DF; Peng, ZQ; Zhou, YL; Lu, HB; Chen, ZH; Li, L; Yang, GZ 收藏 \| 浏览/下载：13/0 \| 提交时间：2013/09/18 OPTICAL-PROPERTIES DEPOSITION ABLATION MGO(100)
	Second-harmonic generation from (Si5Ge5)(100) superlattices with an applied external electric field 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 1997, 卷号: 71, 期号: 23, 页码: 3359 Zhang, XH; Chen, ZH; Xuan, LZ; Peng, CS; Pan, SH; Yang, GZ 收藏 \| 浏览/下载：12/0 \| 提交时间：2013/09/24 QUANTUM-WELL STRUCTURES STRAINED (SI)N/(GE)N SUPERLATTICES 2ND-HARMONIC GENERATION OPTICAL-PROPERTIES ODD-PERIOD SUSCEPTIBILITY TRANSITIONS

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