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物理研究所 [17]
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期刊论文 [17]
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2011 [3]
2009 [1]
2008 [1]
2007 [1]
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A New Bipolar Type Transistor Created Based on Interface Effects of Integrated All Perovskite Oxides
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2012, 卷号: 29, 期号: 10
Xia, FJ
;
Wu, H
;
Fu, YJ
;
Xu, B
;
Yuan, J
;
Zhu, BY
;
Qiu, XG
;
Cao, LX
;
Li, JJ
;
Jin, AZ
;
Wang, YM
;
Li, FH
;
Liu, BT
;
Xie, Z
;
Zhao, BR
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2013/09/17
(BA
ELECTRON-GAS
N-DIODE
METAL
MANGANITES
THICKNESS
INSULATOR
CHARGE
SR)TIO3 THIN-FILMS
Switchable diode effect and ferroelectric resistive switching in epitaxial BiFeO3 thin films
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 卷号: 98, 期号: 19
Wang, C
;
Jin, KJ
;
Xu, ZT
;
Wang, L
;
Ge, C
;
Lu, HB
;
Guo, HZ
;
He, M
;
Yang, GZ
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2013/09/24
Extraction of AlGaN/GaN heterostructure Schottky diode barrier heights from forward current-voltage characteristics
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2011, 卷号: 109, 期号: 7
Lv, YJ
;
Lin, ZJ
;
Corrigan, TD
;
Zhao, JZ
;
Cao, ZF
;
Meng, LG
;
Luan, CB
;
Wang, ZG
;
Chen, H
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2013/09/17
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
GAN
DEPENDENCE
CONTACTS
STATES
NI
PEDOT:PSS Schottky contacts on annealed ZnO films
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2011, 卷号: 20, 期号: 4
Zhu, YB
;
Hu, W
;
Na, J
;
He, F
;
Zhou, YL
;
Chen, C
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2013/09/24
N-GAN
ALGAN/GAN
INSERTION
DIODE
Effect of Schottky barrier on the transport property in perovskite oxide heterostructures
期刊论文
PHYSICA B-CONDENSED MATTER, 2009, 卷号: 404, 期号: 8-11, 页码: 1332
Han, P
;
Lu, HB
;
Jin, KJ
;
Jia, JF
;
Qiu, J
;
Hu, CL
;
Liao, L
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2013/09/17
P-N-JUNCTION
SRTIO3
DIODE
HETEROJUNCTION
Resistance dependence of photovoltaic effect in Au/SrTiO(3):Nb(0.5 wt %) Schottky junctions
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2008, 卷号: 93, 期号: 17
Shang, DS
;
Sun, JR
;
Shi, L
;
Wang, ZH
;
Shen, BG
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2013/09/24
MEMORIES
FILMS
Rectifying properties of magnetite-based Schottky diode and the effects of magnetic field
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2007, 卷号: 90, 期号: 14
Chen, YZ
;
Sun, JR
;
Xie, YW
;
Wang, DJ
;
Lu, WM
;
Liang, S
;
Shen, BG
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2013/09/24
Current-voltage characteristics and parameter retrieval of semiconducting nanowires
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2006, 卷号: 88, 期号: 7
Zhang, ZY
;
Jin, CH
;
Liang, XL
;
Chen, Q
;
Peng, LM
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2013/09/17
ELECTRICAL-TRANSPORT
SILICON NANOWIRE
FIELD
Investigations of three-terminal electronic measurement on quantum dot devices
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2003, 卷号: 52, 期号: 3, 页码: 677
Zhu, Y
;
Wang, TH
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2013/09/18
CURRENT TRANSPORT
SCHOTTKY DIODE
TRANSISTORS
HYSTERESIS
BARRIER
Colossal magnetoresistive p-n junctions of perovskite oxide La0.9Sr0.1MnO3/SrNb0.01Ti0.99O3
期刊论文
CHINESE SCIENCE BULLETIN, 2003, 卷号: 48, 期号: 13, 页码: 1328
Lu, HB
;
Dai, SY
;
Chen, ZH
;
Yan, L
;
Zhou, YL
;
Yang, GZ
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2013/09/17
FIELD-EFFECT TRANSISTOR
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
SCHOTTKY JUNCTIONS
THIN-FILMS
FABRICATION
TRANSITION
DIODE
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