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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The substantial dislocation reduction by preferentially passivating etched defect pits in gan epitaxial growth 期刊论文 Applied physics express, 2019, 卷号: 12, 期号: 3 作者:  Hu,Wei;  Die,Junhui;  Wang,Caiwei;  Yan,Shen;  Hu,Xiaotao 收藏  |  浏览/下载：145/0  |  提交时间：2019/05/09 Gallium nitride  Defect preferential passivation  In situ sinx  Dislocation reduction  Prevention effect   Thermodynamic effects on the sintered Nd-Fe-B magnets 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2005, 卷号: 54, 期号: 11, 页码: 5400 Li, Z; He, YQ; Hu, BP; Wang, ZX 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2013/09/23 ALLOYS  HEAT   Residual stress in the GaN epitaxial film prepared by in situ SiNx deposition 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2005, 卷号: 54, 期号: 11, 页码: 5450 Qin, Q; Yu, NS; Guo, LW; Wang, Y; Zhu, XL; Chen, H; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2013/09/24 PHONON DEFORMATION POTENTIALS  LIGHT-EMITTING-DIODES  OPTICAL-PROPERTIES  PLANE SAPPHIRE  OVERGROWN GAN  ALPHA-GAN  LAYERS  SUBSTRATE  ALN