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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 专题：物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Elimination of crystallographic wing tilt of canti-bridged epitaxial laterally overgrown GaN films by optimizing growth procedure 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2007, 卷号: 24, 期号: 7, 页码: 2018 Yan, JF; Xing, ZG; Wang, J; Guo, LW; Zhu, XL; Peng, MZ; Yu, NS; Jia, HQ; Chen, H; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2013/09/17 The origin of the weak ferroelectric-like hysteresis effect in paraelectric Ba0.5Sr0.5TiO3 thin films grown epitaxially on LaAlO3 期刊论文 JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, 2006, 卷号: 18, 期号: 19, 页码: 4709 Zhu, XH; Yong, LP; Tian, HF; Peng, W; Li, JQ; Zheng, DN 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2013/09/23 MICROWAVE PHASE SHIFTERS  DIELECTRIC-PROPERTIES  INTERDIGITAL CAPACITORS  SINGLE-CRYSTAL  PERMITTIVITY  RELAXATION  DISPERSION  BEHAVIOR  LAYER   Dependence of implantation-induced damage with photoluminescence intensity in GaN : Er 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2004, 卷号: 265, 期号: 1-2, 页码: 78 Song, SF; Chen, WD; Zhu, JJ; Hsu, CC 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2013/09/17 EMISSION   Role of gallium wetting layer in high-quality ZnO growth on sapphire(0001) substrates 期刊论文 SCIENCE IN CHINA SERIES G-PHYSICS MECHANICS & ASTRONOMY, 2004, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 612 Zeng, ZQ; Wang, Y; Du, XL; Mei, ZX; Kong, XH; Jia, JF; Xue, QK; Zhang, Z 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2013/09/24 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ALPHA-AL2O3(0001) SURFACE  POLARITY DEPENDENCE  GAN  FILMS  TERMINATION   Structural and optical properties of InAlGaN films grown directly on low-temperature buffer layer with (0001)sapphire substrate 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2003, 卷号: 249, 期号: 1-2, 页码: 72 Li, DB; Dong, X; Huang, JS; Liu, XL; Xu, ZY; Wang, XH; Zhang, Z; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2013/09/24 INXALYGA1-X-YN QUATERNARY ALLOYS  TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE  MULTIPLE-QUANTUM WELLS  ALINGAN/GAN HETEROSTRUCTURES  GAN  DECAY  LUMINESCENCE  SAPPHIRE  DEVICES  SILICON   Ultra-high-density Ge quantum dots on insulator prepared by high-vacuum electron-beam evaporation 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2003, 卷号: 249, 期号: 1-2, 页码: 23 Wan, Q; Wang, TH; Liu, WL; Lin, CL 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2013/09/23 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  SILICON NANOCRYSTALS  SI NANOCRYSTALS  MATRIX  PHOTOLUMINESCENCE  SIO2-FILMS  GROWTH  LUMINESCENCE  FABRICATION  SI(001)