中国开放科研知识云: 检索

验证码:

换一张

忘记密码？记住我

取消登录

CORC

首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务

在结果中检索

科研机构

西安交通大学 [13]

内容类型

会议论文 [7]

期刊论文 [6]

发表日期

知识图谱

CORC

已提交作品

待认领作品

已认领作品

未提交全文

浏览/检索结果: 共13条，第1-10条

帮助

限定条件	专题：西安交通大学第一署名单位第一作者单位通讯作者单位

已选(0)清除条数/页：排序方式：
	High-k polymer nanocomposites with 1D filler for dielectric and energy storage applications 期刊论文 Progress in Materials Science, 2019, 卷号: 100, 页码: 187-225 作者: Huang, Xingyi; Sun, Bin; Zhu, Yingke; Li, Shengtao; Jiang, Pingkai 收藏 \| 浏览/下载：43/0 \| 提交时间：2019/11/19 1D filler Dielectrics Energy storage Flexibility High-k Nanocomposites
	The total ionizing dose effect on SiO2 and new high-k gate dielectrics under gamma-ray irradiation 会议论文作者: Ding, Man; Cheng, Yonghong 收藏 \| 浏览/下载：13/0 \| 提交时间：2019/11/19 Equivalent oxide thickness Gamma irradiation Gamma-ray irradiation Interface trapped charges Silicon dangling bond Thermally oxidized Total ionizing dose effects Trapping efficiencies
	Capacitance-voltage characteristics measured through pulse technique on high-k dielectric MOS devices 会议论文作者: Lu, Qifeng; Qi, Yanfei; Zhao, Ce Zhou; Zhao, Chun; Taylor, Stephen 收藏 \| 浏览/下载：4/0 \| 提交时间：2019/11/26 Capacitance-voltage characteristics High-k dielectrics Pulse technique
	The electrical performance and gate bias stability of an amorphous InGaZnO thin-film transistor with HfO2 high-k dielectrics 期刊论文 SOLID-STATE ELECTRONICS, 2017, 卷号: 133, 页码: 6-9 作者: Wang, Ruo Zheng; Wu, Sheng Li; Li, Xin Yu; Zhang, Jin Tao 收藏 \| 浏览/下载：3/0 \| 提交时间：2019/11/26 HfO2 Stacked dielectrics Threshold voltage shift Transfer characteristics Negative and positive gate bias stress
	Review on Non-Volatile Memory with High-k Dielectrics: Flash for Generation Beyond 32 nm 期刊论文 MATERIALS, 2014, 卷号: 7, 期号: [db:dc_citation_issue], 页码: 5117-5145 作者: Zhao, Chun; Zhao, Ce Zhou; Taylor, Stephen; Chalker, Paul R. 收藏 \| 浏览/下载：9/0 \| 提交时间：2019/12/03 charge trapping memory flash non-volatile memory high-k dielectrics
	Hysteresis in Lanthanide Aluminum Oxides Observed by Fast Pulse CV Measurement 期刊论文 MATERIALS, 2014, 卷号: 7, 期号: [db:dc_citation_issue], 页码: 6965-6981 作者: Zhao, Chun; Zhao, Ce Zhou; Lu, Qifeng; Yan, Xiaoyi; Taylor, Stephen 收藏 \| 浏览/下载：2/0 \| 提交时间：2019/12/03 oxide traps pulse capacitance-voltage (CV) high-k dielectrics lanthanide aluminum oxides
	An Improved Optimal Design Scheme for High Voltage Cable Accessories 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON DIELECTRICS AND ELECTRICAL INSULATION, 2014, 卷号: 21, 期号: [db:dc_citation_issue], 页码: 5-15 作者: Wang, X.; Wang, C. C.; Wu, K.; Tu, D. M.; Liu, S. 收藏 \| 浏览/下载：12/0 \| 提交时间：2019/12/03 elastic-plasticity Silicone rubber XLPE expansion deformation
	Characterization of LaxHfyO gate dielectrics in 4H-SiC MOS capacitor 会议论文作者: Xia, Jing Hua; Martin, David M.; Suvanam, Sethu Saveda; Zetterling, Carl Mikael; O¨stling, Mikael 收藏 \| 浏览/下载：8/0 \| 提交时间：2019/12/03 4H-SiC High quality High- k High- k gate dielectrics Nano-laminated films Post deposition annealing SiC MOS capacitor
	Radiation Response Analyzer of Semiconductor Dies 会议论文作者: Mu Yifei; Zhao Cezhou; Su Shengmao; Zhao Yue; Mitrovic, Ivona 收藏 \| 浏览/下载：5/0 \| 提交时间：2019/12/10 high-k dielectrics radiation effects
	Irradiation Effect of HfO2 MOS Structure under Gamma-ray 会议论文作者: Cheng, Yonghong; Ding, Man; Wu, Xinglong; Liu, Xin; Wu, Kai 收藏 \| 浏览/下载：3/0 \| 提交时间：2019/12/10 gamma-ray HfO2 irradiation effect high k

相关链接
欧盟学术资源开放存取平台
CALIS高校机构知识库
台湾学术机构典藏
香港机构知识库整合系统
中国科学院机构知识库网格系统

CORC
关于我们
服务条款
隐私条款

联系我们
0931-8270076
cspace@llas.ac.cn
China-OR

中文简体

©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace