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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：西安交通大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The total ionizing dose effect on SiO2 and new high-k gate dielectrics under gamma-ray irradiation 会议论文 作者:  Ding, Man;  Cheng, Yonghong 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/11/19 Equivalent oxide thickness  Gamma irradiation  Gamma-ray irradiation  Interface trapped charges  Silicon dangling bond  Thermally oxidized  Total ionizing dose effects  Trapping efficiencies   The electrical performance and gate bias stability of an amorphous InGaZnO thin-film transistor with HfO2 high-k dielectrics 期刊论文 SOLID-STATE ELECTRONICS, 2017, 卷号: 133, 页码: 6-9 作者:  Wang, Ruo Zheng;  Wu, Sheng Li;  Li, Xin Yu;  Zhang, Jin Tao 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/11/26 HfO2  Stacked dielectrics  Threshold voltage shift  Transfer characteristics  Negative and positive gate bias stress   Characterization of LaxHfyO gate dielectrics in 4H-SiC MOS capacitor 会议论文 作者:  Xia, Jing Hua;  Martin, David M.;  Suvanam, Sethu Saveda;  Zetterling, Carl Mikael;  O¨stling, Mikael 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/03 4H-SiC  High quality  High- k  High- k gate dielectrics  Nano-laminated films  Post deposition annealing  SiC MOS capacitor   HfO2-TiO2 Ultra-Thin Gate Dielectric by RF Sputtering 会议论文 作者:  Li, G. X.;  Chen, X. F.;  Ren, W.;  Shi, P.;  Wu, X. Q. 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/10 HfTiO4 thin films  sputtering  High-K gate dielectrics