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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：北京大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Low-Voltage a-InGaZnO Thin-Film Transistors With Anodized Thin HfO2 Gate Dielectric 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2015 Shao, Yang; Xiao, Xiang; He, Xin; Deng, Wei; Zhang, Shengdong 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2017/12/03 Amorphous indium-gallium-zinc oxide (a-IGZO)  anodized HfO2  high-k  low voltage  thin-film transistors (TFTs)  OXIDE  TEMPERATURE  ALUMINUM   High Performance Aluminum-Doped ZnO Thin Film Transistors with High-K Gate Dielectrics Fabricated at Low Temperature 期刊论文 sensor letters, 2013 Han, Dedong; Cai, Jian; Wang, Wei; Wang, Liangliang; Wang, Yi; Liu, Lifeng; Zhang, Shengdong 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/11/13 High Performance  Aluminum-Doped Zinc Oxide  Thin-Film Transistor  High-K  Low-Temperature Processing  ROOM-TEMPERATURE   High performance aluminum-doped ZnO thin film transistors with high-K gate dielectrics fabricated at low temperature 其他 2013-01-01 Han, Dedong; Cai, Jian; Wang, Wei; Wang, Liangliang; Wang, Yi; Liu, Lifeng; Zhang, Shengdong 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2017/12/03