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科研机构
厦门大学 [39]
内容类型
期刊论文 [37]
学位论文 [2]
发表日期
2014 [1]
2013 [1]
2012 [3]
2011 [2]
2010 [2]
2009 [6]
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专题:厦门大学
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Quantum state engineering with ultra-short-period (AlN)m/(GaN)n superlattices for narrowband deep-ultraviolet detection
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1039/c4nr04286g, 2014
Gao, Na
;
Lin, Wei
;
Chen, Xue
;
Huang,
;
Li, Shuping
;
Li, Jinchai
;
Chen, Hangyang
;
Yang, Xu
;
Ji, Li
;
Yu, Edward T.
;
Kang, Junyong
;
黄凯
;
李书平
;
李金钗
;
陈航洋
;
康俊勇
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2015/07/22
Atoms
Gallium nitride
High resolution transmission electron microscopy
Light absorption
Metallorganic vapor phase epitaxy
Organometallics
Photodetectors
Quantum optics
Superlattices
Characterization of Ge/Si016Ge084 multiple quantum wells on Ge-on-Si virtual substrate using piezoreflectance spectroscopy
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1016/j.ssc.2013.04.035, 2013
Wu, P. H.
;
Huang, Y. S.
;
Hsu, H. P.
;
Li, C.
;
Huang, S. H.
;
Tiong, K. K.
;
李成
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/07/22
HIGH-ELECTRON-MOBILITY
TEMPERATURE-DEPENDENCE
BULK GE
SILICON
PHOTOREFLECTANCE
SUPERLATTICE
TRANSISTOR
The optical property of tensile-strained n-type doped Ge
期刊论文
2012
Huang Shi-Hao
;
Li Cheng
;
Chen Cheng-Zhao
;
Yuan-Yu, Zheng
;
Lai Hong-Kai
;
Chen Song-Yan
;
李成
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2013/12/12
GERMANIUM
SI
The optical property of tensile-strained n-type doped Ge
期刊论文
2012
Huang Shi-Hao
;
Li Cheng
;
Chen Cheng-Zhao
;
Yuan-Yu, Zheng
;
Lai Hong-Kai
;
Chen Song-Yan
;
陈松岩
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2013/12/12
GERMANIUM
SI
N型掺杂应变Ge发光性质
期刊论文
2012
黄诗浩
;
李成
;
陈城钊
;
郑元宇
;
赖虹凯
;
陈松岩
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2016/05/17
应变
N型掺杂Ge
量子效率
光增益
strain
n-type doped germanium
internal quantum efficiency
optical gain
Energy band design for p-type tensile strained Si/SiGe multi-quantum well infrared photodetector
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1007/s11801-011-0164-2, 2011
Li, Jin-tao
;
Chen, Song-yan
;
Qi, Dong-feng
;
Huang, Wei
;
Li, Cheng
;
Lai, Hong-kai
;
陈松岩
;
黄巍
;
李成
;
赖虹凯
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/07/22
Band structure
Germanium
Infrared detectors
Optoelectronic devices
Semiconductor quantum wells
III族氮化物应变量子结构及其特性调控
学位论文
2011, 2010
林伟
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2016/02/14
III族氮化物半导体
应变调控
MOVPE技术
量子能级
第一性原理
III-nitride semiconductors
Strain modification
MOVPE technique
p-type doping
Quantized level
The first-principles calculation
Quantum-confined direct band transitions in tensile strained Ge/SiGe quantum wells on silicon substrates
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1088/0957-4484/21/11/115207, 2010
Chen, Y. H.
;
Li, C.
;
Lai, H. K.
;
Chen, S. Y.
;
陈松岩
;
李成
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2013/12/12
GERMANIUM
GE
RECOMBINATION
SI(100)
LAYERS
SI
Near-ultraviolet light emitting diodes using strained ultrathin InN/GaN quantum well grown by metal organic vapor phase epitaxy
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1063/1.3360199, 2010
Lin, W.
;
Li, S. P.
;
Kang, J. Y.
;
康俊勇
收藏
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2013/12/12
TOTAL-ENERGY CALCULATIONS
WAVE BASIS-SET
INGAN
Room temperature photoluminescence of tensile-strained Ge/Si013Ge087 quantum wells grown on silicon-based germanium virtual substrate
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1063/1.3114408, 2009
Chen, YH
;
Li, C
;
Zhou, ZW
;
Lai, HK
;
Chen, SY
;
Ding, WC
;
Cheng, BW
;
Yu, YD
;
李成
;
陈松岩
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2015/07/22
chemical vapour deposition
elemental semiconductors
energy gap
germanium
Ge-Si alloys
photoluminescence
semiconductor epitaxial layers
semiconductor quantum wells
silicon
tensile strength
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