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Bias dependence of total ionizing dose effects in 22 nm bulk nFinFETs 期刊论文
RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS, 2022, 卷号: 177, 期号: 3-4, 页码: 372-382
作者:  Cui, X (Cui, Xu) [1] , [2] , [3];  Cui, JW (Cui, Jiang-Wei) [1] , [2] , [3];  Zheng, QW (Zheng, Qi-Wen) [1] , [2] , [3];  Wei, Y (Wei, Ying) [1] , [2] , [3];  Li, YD (Li, Yu-Dong) [1] , [2] , [3]
收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2022/06/21
An investigation of FinFET single-event latch-up characteristic and mitigation method 期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2020, 卷号: 114, 页码: 8
作者:  Li, Dongqing;  Liu, Tianqi;  Wu, Zhenyu;  Cai, Chang;  Zhao, Peixiong
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2021/12/13
TCAD  FinFET  SCR  SEL  
A FinFET with one atomic layer channel 期刊论文
NATURE COMMUNICATIONS, 2020, 卷号: 11
作者:  Chen, Mao-Lin;  Sun, Xingdan;  Liu, Hang;  Wang, Hanwen;  Zhu, Qianbing
收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2020/11/23
22 nm体硅FinFET热载流子及总剂量效应研究 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2020, 卷号: 40, 期号: 5, 页码: 384-388
作者:  王保顺;  崔江维;  郑齐文;  席善学;  魏莹
收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2020/11/17
TID Response of Bulk Si PMOS FinFETs: Bias, Fin Width, and Orientation Dependence 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2020, 卷号: 67, 期号: 7, 页码: 1320-1325
作者:  Ren, ZX (Ren, Zhexuan)[ 1 ];  An, X (An, Xia)[ 1 ];  Li, GS (Li, Gensong)[ 1 ];  Chen, G (Chen, Gong)[ 1 ];  Li, M (Li, Ming)[ 1 ]
收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2020/09/09
SEE Sensitivity Evaluation for Commercial 16 nm SRAM-FPGA 期刊论文
ELECTRONICS, 2019, 卷号: 8, 期号: 12, 页码: 12
作者:  Cai, Chang;  Gao, Shuai;  Zhao, Peixiong;  Yu, Jian;  Zhao, Kai
收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2022/01/19
Total Ionizing Dose Response and Annealing Behavior of Bulk nFinFETs With ON-State Bias Irradiation 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2018, 卷号: 65, 期号: 8, 页码: 1503-1510
作者:  Yang, L (Yang, Ling)[ 1,2 ];  Zhang, QZ (Zhang, Qingzhu)[ 1,3 ];  Huang, YB (Huang, Yunbo)[ 1,2 ];  Zheng, ZS (Zheng, Zhongshan)[ 1,2 ];  Li, B (Li, Bo)[ 1,2 ]
收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2018/09/18
Possible atmospheric-like neutron beams at CSNS 期刊论文
RADIATION PHYSICS AND CHEMISTRY, 2018, 卷号: 152, 页码: 43-48
作者:  Jing, HT;  Ni, WJ
收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/09/24
Effects of ultra-thin Si-fin body widths upon SOI PMOS FinFETs 期刊论文
MODERN PHYSICS LETTERS B, 2018, 卷号: 32, 期号: 15
作者:  Liaw, Yue-Gie;  Chen, Chii-Wen
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/05
Efficient ab initio analysis of quantum confinement and band structure effects in ultra-scaled Si1-xGex gate-all-around and fin field-effect transistors for sub-10 nm technology nodes 期刊论文
JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS, 2018, 卷号: Vol.17 No.4, 页码: 1399-1409
作者:  Liu, J;  Tang, CX;  Mo, PH;  Lu, JW
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/26

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