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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 内容类型：期刊论文    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Influence of nitrogen annealing on electrical properties of lead zirconate titanate thin film deposited on titanium metal foil 期刊论文 materials letters, 2004, 卷号: 58, 期号: 5, 页码: 706-710 Zhang, GQ; Zou, Q; Sun, P; Mei, X; Ruda, HE 收藏  |  浏览/下载：62/9  |  提交时间：2010/03/09 ferroelectrics   Transport property in narrow barrier GaAs/AlAs superlattice under hydrostatic pressure 期刊论文 journal of applied physics, 1999, 卷号: 85, 期号: 8 part 1, 页码: 4259-4261 作者:  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/08/12 GAAS-ALAS SUPERLATTICES  CARRIER TRANSPORT  OSCILLATIONS  DOMAINS  STATE   Current self-oscillation induced by a transverse magnetic field in a doped GaAs/AlAs superlattice 期刊论文 physical review b, 1999, 卷号: 60, 期号: 12, 页码: 8866-8870 作者:  Jiang DS;  Wang HL;  Wang HL;  Wang HL 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/08/12 SEMICONDUCTOR SUPERLATTICES  DOMAINS  MODEL   Characterization of strain relaxation in As ion implanted Si1-xGex epilayers grown by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文 applied physics letters, 1998, 卷号: 72, 期号: 7, 页码: 845-847 Zou LF; Wang ZG; Sun DZ; Fan TW; Liu XF; Zhang JW 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/08/12 HETEROSTRUCTURES  PRECIPITATION  ALLOYS   RBS STUDIES OF THE LATTICE DAMAGE CAUSED BY 1 MEV SI+ IMPLANTATION INTO AL0.3GA0.7AS/GAAS SUPERLATTICES AT ELEVATED-TEMPERATURE 期刊论文 nuclear instruments & methods in physics research section b-beam interactions with materials and atoms, 1994, 卷号: 90, 期号: 0, 页码: 392-395 XU TB; ZHU PR; ZHOU JS; LI DQ; GONG B; WAN Y; MU SM; ZHAO QT; WANG ZL 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/11/15 ION-IMPLANTATION  AMORPHIZATION