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半导体研究所 [41]
内容类型
期刊论文 [41]
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2011 [1]
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内容类型:期刊论文
专题:半导体研究所
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Quantitative determination of the Mn site distribution in ultrathin Ga0.80Mn0.20As layers with high critical temperatures: A Rutherford backscattering channeling investigation
期刊论文
physical review b, 2014, 卷号: 89, 期号: 11, 页码: 115323
Benzeggouta, D
;
Khazen, K
;
Vickridge, I
;
von Bardeleben, HJ
;
Chen, L
;
Yu, XZ
;
Zhao, JH
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2015/04/02
Quantitative determination of the Mn site distribution in ultrathin Ga0.80Mn0.20As layers with high critical temperatures: A Rutherford backscattering channeling investigation
期刊论文
physical review b, 2014, 卷号: 89, 期号: 11, 页码: 115323
Benzeggouta, D
;
Khazen, K
;
Vickridge, I
;
von Bardeleben, HJ
;
Chen, L
;
Yu, XZ
;
Zhao, JH
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2015/05/11
Depth profile of the tetragonal distortion in thick GaMnAs layers grown on GaAs by Rutherford backscattering/channeling
期刊论文
aip advances, 2012, 卷号: 2, 期号: 4, 页码: 042102
Zhou SQ (Zhou, Shengqiang)
;
Chen L (Chen, Lin)
;
Shalimov A (Shalimov, Artem)
;
Zhao JH (Zhao, Jianhua)
;
Helm M (Helm, Manfred)
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2013/03/26
Strained and strain-relaxed epitaxial ge1-xsnx alloys on si(100) substrates
期刊论文
Chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: 5
作者:
Wang Wei
;
Su Shao-Jian
;
Zheng Jun
;
Zhang Guang-Ze
;
Zuo Yu-Hua
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浏览/下载:112/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Gesn alloys
Strained
Strain-relaxed
Molecular beam epitaxy
Structural and optical properties of Al1-xInxN epilayers on GaN template grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 2, 页码: art. no. 026804
Lu GJ (Lu Guo-Jun)
;
Zhu JJ (Zhu Jian-Jun)
;
Jiang DS (Jiang De-Sheng)
;
Wang YT (Wang Yu-Tian)
;
Zhao DG (Zhao De-Gang)
;
Liu ZS (Liu Zong-Shun)
;
Zhang SM (Zhang Shu-Ming)
;
Yang H (Yang Hui)
收藏
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浏览/下载:110/2
  |  
提交时间:2010/04/22
metalorganic chemical vapor deposition
Al1-xInxN
gradual variation in composition
optical reflectance spectra
X-RAY-DIFFRACTION
PHASE EPITAXY
RELAXATION
FILMS
HETEROSTRUCTURES
SEPARATION
DYNAMICS
ALLOYS
REGION
LAYERS
Depth dependence of structural quality in InN grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
materials letters, 2007, 卷号: 61, 期号: 2, 页码: 516-519
作者:
Wang H
;
Wang YT
;
Wang LL
;
Yang H
;
Wang H
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2010/03/29
X-ray diffraction
Structural and Optical Performance of GaN Thick Film Grown by HVPE
期刊论文
半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 1, 页码: 19-23
作者:
Duan Ruifei
;
Liu Zhe
;
Duan Ruifei
;
Wei Tongbo
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/23
Depth dependence of structural quality in inn grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
Materials letters, 2007, 卷号: 61, 期号: 2, 页码: 516-519
作者:
Wang, H.
;
Huang, Y.
;
Sun, Q.
;
Chen, J.
;
Zhu, J. J.
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2019/05/12
X-ray diffraction
Rutherford backscattering
Metalorganic chemical vapor deposition
Inn
Interfaces in heterostructures of alingan/gan/al2o3
期刊论文
Superlattices and microstructures, 2006, 卷号: 39, 期号: 5, 页码: 429-435
作者:
Zhou, SQ
;
Wu, MF
;
Yao, SD
;
Liu, JP
;
Yang, H
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2019/05/12
Nitride semiconductors
Interface
Rutherford backscattering/channeling
Transmission electron microscopy
X-ray diffraction
High-precision determination of lattice constants and structural characterization of inn thin films
期刊论文
Journal of vacuum science & technology a, 2006, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 275-279
作者:
Wu, MF
;
Zhou, SQ
;
Vantomme, A
;
Huang, Y
;
Wang, H
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2019/05/12
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