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科研机构
上海微系统与信息... [145]
内容类型
期刊论文 [145]
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共145条,第1-10条
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内容类型:期刊论文
专题:上海微系统与信息技术研究所
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Influence of Si nanocrystal embedded in BOX on radiation and electrical properties of SOI wafer
期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2012, 卷号: 272, 页码: 257-260
Bi, DW
;
Zhang, ZX
;
Chen, M
;
Wu, AM
;
Wei, X
;
Wang, X
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2013/04/17
SOI
Ion implantation
Si nanocrystal
Pseudo-MOS
Transportation of carriers in silicon implanted SiO2 films during ionizing radiation
期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2012, 卷号: 272, 页码: 266-270
Chen, M
;
Zhang, ZX
;
Wei, X
;
Bi, DW
;
Zou, SC
;
Wang, X
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2013/04/17
Silicon dioxide
Ion implantation
Total ionizing dose
Carrier transportation
Thermal stability and interface improvement of thin NiSiGe by C
+
ion implantation
期刊论文
2011 IEEE International Interconnect Technology Conference and 2011 Materials for Advanced Metallization, IITC/MAM 2011.2011 IEEE International Interconnect Technology Conference and 2011 Materials for Advanced Metallization, IITC/MAM 2011, 2011, 期号: 0
Zhang, B
;
Yu, W
;
Zhao, QT
;
Buca, D
;
Hollä
;
nder, B
;
Hartmann, J.-M.
;
Zhang, M
;
Wang, X
;
Mantl, S.
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2012/08/28
Effect of annealing on structure and hardness of oxygen-implanted layer on Ti6Al4V by plasma-based ion implantation
期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2010, 卷号: 268, 期号: 2, 页码: 135-139
Jinlong, L
;
Mingren, S
;
Xinxin, M
;
Li, XM
;
Zhenlun, S
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2012/03/24
Instruments & Instrumentation
Physics
Physics
Nuclear Science & Technology
Atomic
Nuclear
Molecular & Chemical
Oxygen gettering in Si by He ion implantation-induced cavity layer
期刊论文
NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2009, 卷号: 20, 期号: 4, 页码: 202-207
Ou, X
;
Zhang, B
;
Wu, AM
;
Zhang, M
;
Wang, X
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2012/03/24
BURIED OXIDE LAYERS
SILICON
DISLOCATIONS
GENERATION
VOIDS
AU
The use of nanocavities for the fabrication of ultrathin buried oxide layers
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2009, 卷号: 94, 期号: 1, 页码: 11903-11903
Ou, X
;
Kogler, R
;
Mucklich, A
;
Skorupa, W
;
Moller, W
;
Wang, X
;
Vines, L
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2012/03/24
ION-IMPLANTATION
SOI MOSFETS
SILICON
SI
HELIUM
SEPARATION
DEFECTS
TEMPERATURE
HYDROGEN
BUBBLES
Oxygen gettering in Si by He ion implantation-induced cavity layer
期刊论文
NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2009, 卷号: 20, 期号: 4, 页码: 202-207
Ou, X
;
Zhang, B(重点实验室)
;
Wu, AM
;
Zhang, M(重点实验室)
;
Wang, X(重点实验室)
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2013/05/10
BURIED OXIDE LAYERS
SILICON
DISLOCATIONS
GENERATION
VOIDS
AU
Oxygen gettering in Si by He ion implantation-induced cavity layer
期刊论文
NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2009, 卷号: 20, 期号: 4
Ou, X
;
Zhang, B(重点实验室)
;
Wu, AM(重点实验室)
;
Zhang, M(重点实验室)
;
Wang, X(重点实验室)
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2013/05/10
Nuclear Science & Technology
Physics
Nuclear
基于STBC与V-BALST的虚拟MIMO方案研究
期刊论文
电子技术应用, 2008, 期号: 05
邱云周
;
丁盛
;
严凯
;
王营冠
;
刘海涛
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2012/01/06
SOI
吸杂
离子注入
纳米孔
高压双扩散漏端MOS晶体管双峰衬底电流的形成机理及其影响
期刊论文
物理学报, 2008, 期号: 07
王俊
;
王磊
;
董业民
;
邹欣
;
邵丽
;
李文军
;
杨华岳
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2012/01/06
离子注入
光致发光
量子阱互混
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