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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 内容类型：期刊论文    专题：新疆理化技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Role of the oxide trapped charges in charge coupled device ionizing radiation-induced dark signal 期刊论文 RADIATION PHYSICS AND CHEMISTRY, 2021, 卷号: 189, 期号: 12, 页码: 1-5 作者:  Li, YD (Li, Yudong);  Liu, BK (Liu, Bingkai);  Wen, L (Wen, Lin);  Wei, Y (Wei, Ying);  Zhou, D (Zhou, Dong) 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2021/10/14 Radiation effectsTotal ionizing dose (TID)Charge coupled device (CCD)Dark signalOxide trapped charges   Simulation and sesign of single event effect radiation hardening for SiGe heterojunction bipolar transistor 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2015, 卷号: 64, 期号: 11 作者:  Li, P (Li Pei);  Guo, HX (Guo Hong-Xia);  Guo, Q (Guo Qi);  Wen, L (Wen Lin);  Cui, JW (Cui Jiang-Wei) 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2015/07/11 SiGe heterojunction bipolar transistor  single event effect  hardening design  dummy collector   串口型铁电存储器总剂量辐射损伤效应和退火特性 期刊论文 物理学报, 2013, 卷号: 62, 期号: 15, 页码: 347-352 作者:  张兴尧;  郭旗;  陆妩;  张孝富;  郑齐文 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2013/11/06 铁电存储器  总剂量辐射  退火特性   serial ferroelectric memory ionizing radiation effects and annealing characteristics 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2013, 卷号: 62, 期号: 15, 页码: - 作者:  Zhang Xing-Yao;  Guo Qi;  Lu Wu;  Zhang Xiao-Fu;  Zheng Qi-Wen 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2013/11/07 ferroelectric random memory  ionizing radiation effects  annealing characteristics   Altera SRAM型FPGA器件总剂量辐射损伤及退火效应 期刊论文 强激光与粒子束, 2010, 卷号: 22, 期号: 11, 页码: 2724-2728 作者:  高博;  余学峰;  任迪远;  王义元;  李豫东 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2012/11/29 SRAM型FPGA  60Coγ  总剂量辐射损伤效应  退火效应   不同型号的星用Power MOSFET的辐射响应特性 期刊论文 核电子学与探测技术, 2007, 卷号: 27, 期号: 2, 页码: 347-349,334 作者:  刘刚;  余学锋;  任迪远;  牛振红;  高嵩 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/11/29 PowerMOSFET  阈值电压  总剂量辐射  击穿电压