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Total Ionizing Dose Effects of the Color Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS) Image Sensor at Different Bias 期刊论文
JOURNAL OF NANOELECTRONICS AND OPTOELECTRONICS, 2022, 卷号: 17, 期号: 1, 页码: 121-127
作者:  Yang, ZK (Yang, Zhikang) [1] , [2];  Wen, L (Wen, Lin) [1];  Li, YD (Li, Yudong) [1];  Liu, BK (Liu, Bingkai) [1] , [2];  Fu, J (Fu, Jing) [1] , [2]
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TID Response of Bulk Si PMOS FinFETs: Bias, Fin Width, and Orientation Dependence 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2020, 卷号: 67, 期号: 7, 页码: 1320-1325
作者:  Ren, ZX (Ren, Zhexuan)[ 1 ];  An, X (An, Xia)[ 1 ];  Li, GS (Li, Gensong)[ 1 ];  Chen, G (Chen, Gong)[ 1 ];  Li, M (Li, Ming)[ 1 ]
收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2020/09/09
Total Ionizing Dose Responses of Forward Body Bias Ultra-Thin Body and Buried Oxide FD-SOI Transistors 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2019, 卷号: 66, 期号: 4, 页码: 702-709
作者:  Zheng, QW (Zheng, Qiwen)[ 1 ];  Cui, JW (Cui, Jiangwei)[ 1 ];  Xu, LW (Xu, Liewei)[ 2 ];  Ning, BX (Ning, Bingxu)[ 3 ];  Zhao, K (Zhao, Kai)[ 3 ]
收藏  |  浏览/下载：99/0  |  提交时间：2019/05/14
Total Ionizing Dose Response and Annealing Behavior of Bulk nFinFETs With ON-State Bias Irradiation 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2018, 卷号: 65, 期号: 8, 页码: 1503-1510
作者:  Yang, L (Yang, Ling)[ 1,2 ];  Zhang, QZ (Zhang, Qingzhu)[ 1,3 ];  Huang, YB (Huang, Yunbo)[ 1,2 ];  Zheng, ZS (Zheng, Zhongshan)[ 1,2 ];  Li, B (Li, Bo)[ 1,2 ]
收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2018/09/18
Impact of Bias Conditions on Total Ionizing Dose Effects of Co-60 gamma in SiGe HBT 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2016, 卷号: 63, 期号: 2, 页码: 1251-1258
作者:  Zhang, JX (Zhang, Jinxin);  Guo, Q (Guo, Qi);  Guo, HX (Guo, Hongxia);  Lu, W (Lu, Wu);  He, CH (He, Chaohui)
收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2016/12/12
Reliability of partially-depleted silicon-on-insulator n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistor under the ionizing radiation environment 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2015, 卷号: 64, 期号: 8
作者:  Zhou, H (Zhou Hang);  Cui, JW (Cui Jiang-Wei);  Zheng, QW (Zheng Qi-Wen);  Guo, Q (Guo Qi);  Ren, DY (Ren Di-Yuan)
收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2018/01/26
双极电压比较器电离辐射损伤及剂量率效应分析 期刊论文
物理学报, 2014, 卷号: 63, 期号: 2, 页码: 229-235
作者:  马武英;  陆妩;  郭旗;  何承发;  吴雪
收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2014/11/11
12位LC~2MOS工艺数模转换器总剂量电离辐射效应 期刊论文
原子能科学技术, 2013, 卷号: 47, 期号: 12, 页码: 2355-2360
作者:  王信;  陆妩;  郭旗;  吴雪;  席善斌
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2014/11/11
PNP输入双极运算放大器在不同辐射环境下的辐射效应和退火特性 期刊论文
物理学报, 2013, 卷号: 62, 期号: 7, 页码: 325-330
作者:  胡天乐;  陆妩;  席善斌;  郭旗;  何承发
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2013/06/14
PDSOI CMOS SRAM总剂量辐射及退火效应的研究 期刊论文
核技术, 2011, 卷号: 34, 期号: 6, 页码: 452-456
作者:  李明;  余学峰;  卢健;  高博;  崔江维
收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/11/29

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