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科研机构
微电子研究所 [17]
内容类型
外文期刊 [17]
发表日期
2010 [1]
2009 [6]
2008 [5]
2007 [2]
2006 [2]
2005 [1]
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内容类型:外文期刊
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75
80
85
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Comparative studies of Ge and Si p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors with HfSiON dielectric and TaN metal gate
外文期刊
2010
作者:
Xu, QX
;
Hu, AB
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2010/11/26
Finite-element study of strain field in strained-Si MOSFET
外文期刊
2009
作者:
Liu, HH
;
Xu, QX
;
Duan, XF
收藏
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浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2010/11/26
Beam Electron-diffraction
Hole Mobility Enhancement
Elastic Relaxation
Layer Superlattices
Effect Transistors
Cmos Performance
Silicon
Specimens
Pmosfets
Effect of Al-diffusion-induced positive flatband voltage shift on the electrical characteristics of Al-incorporated high-k metal-oxide-semiconductor field-effective transistor
外文期刊
2009
作者:
Toriumi, A
;
Ota, H
;
Nabatame, T
;
Mizubayashi, W
;
Akiyama, K
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2010/11/26
Technology
HIGH CURRENT, MULTI-FINGER InGaAs/InP HETEROSTRUCTURE BIPOLAR TRANSISTOR WITH f(t) OF 176GHz
外文期刊
2009
作者:
Cheng, W
;
Jin, Z
;
Qi, M
;
Xu, AH
;
Liu, XY
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2010/11/26
红外与毫米波学报
Study of top and bottom contact resistance in one organic field-effect transistor
外文期刊
2009
作者:
Liu, G
;
Liu, M
;
Wang, H
;
Shang, LW
;
Ji, ZY
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2010/11/26
Thin-film Transistors
Injection
Fabrication
Pentacene
Channel
Low-Voltage Organic Field-Effect Transistor With PMMA/ZrO2 Bilayer Dielectric
外文期刊
2009
作者:
Shang, LW
;
Tu, DY
;
Liu, G
;
Liu, XH
;
Ji, ZY
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/26
Thin-film Transistors
Copper Phthalocyanine
High-mobility
Gate Insulators
Substrate
Fets
Optimizing molecular orientation for high performance organic thin film transistors based on titanyl phthalocyanine
外文期刊
2009
作者:
Liu, G
;
Wang, H
;
Liu, XH
;
Hu, WP
;
Shang, LW
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2010/11/26
Field-effect Transistors
Copper-phthalocyanine
Oxotitanium(Iv) Phthalocyanine
Conjugated Oligomers
Charge-transport
Channel
Semiconductors
Electronics
Deposition
Crystals
Common-base multi-finger submicron InGaAs/InP double heterojunction bipolar transistor with f(max) of 305 GHz
外文期刊
2008
作者:
Jin, Z
;
Su, Y
;
Cheng, W
;
Liu, X
;
Xu, A
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2010/11/26
High current multi-finger InGaAs/InP double heterojunction bipolar transistor with the maximum oscillation frequency 253 GHz
外文期刊
2008
作者:
Jin, Z
;
Su, YB
;
Cheng, W
;
Liu, XY
;
Xu, AH
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2010/11/26
High-breakdown-voltage submicron InGaAs/InP double heterojunction bipolar transistor with f(t)=170 GHz and f(max)=253GHz
外文期刊
2008
作者:
Jin, Z
;
Su, YB
;
Cheng, W
;
Liu, XY
;
Xu, AH
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2010/11/26
Amplifier
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