Comparative studies of Ge and Si p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors with HfSiON dielectric and TaN metal gate | |
Xu, QX; Hu, AB | |
2010 | |
内容类型 | 外文期刊 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/8992] |
专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Xu, QX,Hu, AB. Comparative studies of Ge and Si p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors with HfSiON dielectric and TaN metal gate. 2010. |
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