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微电子研究所 [4]
内容类型
外文期刊 [4]
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2010 [1]
2008 [1]
2007 [1]
2005 [1]
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内容类型:外文期刊
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Extrinsic Base Surface Passivation in High Speed "Type-II" GaAsSb/InP DHBTs Using an InGaAsP Ledge Structure
外文期刊
2010
作者:
Jin, Z
;
Liu, XY
;
Wu, Dx
;
Zhou, L
;
Chang, HD
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2010/11/26
Inp/gaassb/inp Dhbts
Graded-base
Ghz
Bvceo
Surface-recombination-free InGaAs/InP HBTs and the base contact recombination
外文期刊
2008
作者:
Jin, Z
;
Liu, X
;
Prost, W
;
Tegude, FJ
收藏
  |  
浏览/下载:7/0
  |  
提交时间:2010/11/26
Heterojunction Bipolar-transistors
Graded-base
Sinx Passivation
Npn
Surface-induced large side-gating phenomenon in GaAs quantum wire transistors and its removal by surface passivation using Si interface control layer
外文期刊
2007
作者:
Jia, R
;
Kasai, S
;
Wang, Q
;
Long, SB
;
Bin Niu, J
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浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2010/11/26
Level Transient Spectroscopy
Field-effect Transistors
Wrap-gate Control
Growth and characterization of 0.8-mu m gate length AlGaN/GaN HEMTs on sapphire substrates
外文期刊
2005
作者:
Wang, XL
;
Wang, CM
;
Hu, GX
;
Wang, JX
;
Ran, JX
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浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2010/11/26
Field-effect Transistors
Surface Passivation
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