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科研机构
微电子研究所 [35]
内容类型
外文期刊 [35]
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2010 [7]
2009 [9]
2008 [4]
2007 [4]
2006 [6]
2005 [3]
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内容类型:外文期刊
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Comparative studies of Ge and Si p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors with HfSiON dielectric and TaN metal gate
外文期刊
2010
作者:
Xu, QX
;
Hu, AB
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2010/11/26
A C-band GaN based linear power amplifier with 55.7% PAE
外文期刊
2010
作者:
Luo, WJ
;
Liu, XY
;
Zheng, YK
;
Liu, GG
;
Zhang, H
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2010/11/26
Fabrication and characterization of molecular scale field-effect transistors
外文期刊
2010
作者:
Yu, G
;
Cao, LC
;
Chen, SY
;
Wei, DC
;
Liu, HM
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2010/11/26
Self-assembled Monolayers
Langmuir-blodgett-films
Lithography
Phthalocyanine
Conductance
Electrodes
Junction
Fabrication of a 256-bits organic memory by soft x-ray lithography
外文期刊
2010
作者:
Liu, XH
;
Lu, WS
;
Ji, ZY
;
Tu, DY
;
Zhu, XL
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2010/11/26
Light-emitting-diodes
Circuits
Devices
Transistors
Transport
Films
High-Performance Si Nanowire Transistors on Fully Si Bulk Substrate From Top-Down Approach: Simulation and Fabrication
外文期刊
2010
作者:
Zhuge, J
;
Tian, Y
;
Wang, RS
;
Huang, R
;
Wang, YQ
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2010/11/26
Thermal-conductivity
Device-simulation
Mosfets
Layers
Interface Effect on the Performance of Rectifier Based on Organic Diode
外文期刊
2010
作者:
Liu, M
;
Wang, H
;
Ji, ZY
;
Shang, LW
;
Liu, XH
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/11/26
Transistors
Effects of Shell Strain on Valence Band Structure and Transport Properties of Ge/Si1-xGex Core-Shell Nanowire
外文期刊
2010
作者:
Zhao, YN
;
Xu, HH
;
Du, G
;
Liu, XY
;
Fan, C
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/26
Field-effect Transistors
Growth
Germanium
Silicon
Vapor
Finite-element study of strain field in strained-Si MOSFET
外文期刊
2009
作者:
Liu, HH
;
Xu, QX
;
Duan, XF
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2010/11/26
Beam Electron-diffraction
Hole Mobility Enhancement
Elastic Relaxation
Layer Superlattices
Effect Transistors
Cmos Performance
Silicon
Specimens
Pmosfets
Design and optimization considerations for bulk gate-all-around nanowire MOSFETs
外文期刊
2009
作者:
Cai, XW
;
Zhou, HJ
;
Xu, QX
;
Song, Y
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2010/11/26
Device-simulation
Cmos Devices
Silicon
Performance
Transistors
Fabrication
Diameter
Impact
On the design of base-collector junction of InGaAs/InP DHBT
外文期刊
2009
作者:
Jin, Z
;
Liu, XY
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/11/26
Heterojunction Bipolar-transistors
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