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北京大学 [7]
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其他 [7]
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2015 [2]
2014 [1]
2012 [3]
2009 [1]
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Influence of selector-introduced compliance current on HfOx RRAM switching operation
其他
2015-01-01
Fang, Yichen
;
Cai, Yimao
;
Wang, Zongwei
;
Yu, Zhizhen
;
Yang, Xue
;
Huang, Ru
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2017/12/03
Influence of Selector-introduced Compliance Current on HfOx RRAM Switching Operation
其他
2015-01-01
Fang, Yichen
;
Cai, Yimao
;
Wang, Zongwei
;
Yu, Zhizhen
;
Yang, Xue
;
Huang, Ru
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2017/12/03
compliance current
RRAM
Current overshooting
High-performance fully transparent hafnium-doped zinc oxide TFTs fabricated at low temperature
其他
2014-01-01
Wu, Jing
;
Han, Dedong
;
Zhao, Nannan
;
Chen, Zhuofa
;
Cong, Yingying
;
Zhao, Feilong
;
Dong, Junchen
;
Zhang, Shengdong
;
Zhang, Xing
;
Wang, Yi
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2017/12/03
Improvement of Endurance Degradation for Oxide Based Resistive Switching Memory Devices Correlated With Oxygen Vacancy Accumulation Effect
其他
2012-01-01
Lu, Y.
;
Chen, B.
;
Gao, B.
;
Fang, Z.
;
Fu, Y. H.
;
Yang, J. Q.
;
Liu, L. F.
;
Liu, X. Y.
;
Yu, H. Y.
;
Kang, J. F.
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2015/11/13
hafnium oxide
nonvolatile memory
endurance
conductive filament
oxygen vacancy
RRAM
Oxide-Based RRAM: A Novel Defect-Engineering-Based Implementation For Multilevel Data Storage
其他
2012-01-01
Kang, J. F.
;
Gao, B.
;
Chen, B.
;
Liu, L. F.
;
Liu, X. Y.
;
Yu, H. Y.
;
Wang, Z. R.
;
Yu, B.
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/11/13
Resistive switching memory (RRAM)
multilevel data storage
defect-engineering
Oxide-based RRAM: A novel defect-engineering-based implementation for multilevel data storage
其他
2012-01-01
Kang, J.F.
;
Gao, B.
;
Chen, B.
;
Liu, L.F.
;
Liu, X.Y.
;
Yu, H.Y.
;
Wang, Z.R.
;
Yu, B.
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2015/11/13
Effects of Ionic Doping on the Behaviors of Oxygen Vacancies in HfO(2) and ZrO(2): A First Principles Study
其他
2009-01-01
Zhang, Haowei
;
Gao, Bin
;
Yu, Shimeng
;
Lai, Lin
;
Zeng, Lang
;
Sun, Bing
;
Liu, Lifeng
;
Liu, Xiaoyan
;
Lu, Jing
;
Han, Ruqi
;
Kang, Jinfeng
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2015/11/13
Hafnium Oxide
Zirconium Oxide
First Principles Calculation
Ionic Doping Effect
Oxygen Vacancy
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