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科研机构
西安交通大学 [1]
沈阳自动化研究所 [1]
内容类型
会议论文 [2]
发表日期
2018 [1]
2008 [1]
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The total ionizing dose effect on SiO2 and new high-k gate dielectrics under gamma-ray irradiation
会议论文
作者:
Ding, Man
;
Cheng, Yonghong
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2019/11/19
Equivalent oxide thickness
Gamma irradiation
Gamma-ray irradiation
Interface trapped charges
Silicon dangling bond
Thermally oxidized
Total ionizing dose effects
Trapping efficiencies
Design and simulation of electrodes for 3D dielectrophoretic trapping
会议论文
3rd IEEE International Conference of Nano/Micro Engineered and Molecular Systems, Sanya, China, January 6-9, 2008
作者:
Li ML(李明林)
;
Qu YL(曲艳丽)
;
Dong ZL(董再励)
;
Li WJ(李文荣)
;
Wang YC(王越超)
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提交时间:2012/06/06
dielectrophoretic trapping
optoelectronic tweezers
nano-manipulation
DEP
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