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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 内容类型：会议论文     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Electrical Properties of MoS2-Au Contact Based on the First Principle Study 会议论文 作者:  Wu, Gengshu;  Lou, Haijun;  Lin, Xinnan 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/11/15 Metal/molybdenum disulphide (MoS2) contacts  Schottky harrier height (SBH)  ab initio   Schottky barrier height modulation in metal/n-Ge system 会议论文 作者:  Liu HG(刘洪刚);  Gong ZJ(龚著靖);  Wang SK(王盛凯) 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2014/10/28 A more CMOS process compatible scheme to tune the Schottky barrier height of NiSi to electrons by means of dopant segregation technique 会议论文 2012-11-01 作者:  Deng J(邓坚);  Luo J(罗军) 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2013/11/04 Hydrogen sensors based on Pt-AlGaN/GaN back-to-back Schottky diode 会议论文 34th international symposium on compound semiconductors, kyoto, japan, oct 15-18, 2007 Wang, XH; Wang, XL; Xiao, HL; Feng, C; Wang, XY; Wang, BZ; Yang, CB; Wang, JX; Wang, CM; Ran, JX; Hu, GX; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2010/03/09 GAS SENSORS  HEMT STRUCTURES  MOBILITY  TEMPERATURE  TRANSISTORS  GROWTH  MOCVD  LAYER   Hydrogen sensors based on Pt-AlGN/AIN/GaN Schottky diode - art. no. 68291R 会议论文 conference on advanced materials and devices for sensing and imaging iii, beijing, peoples r china, nov 12-14, 2007 Wang, XH; Wan, XL; Xiao, HL; Feng, C; Way, BZ; Yang, CB; Wang, JX; Wang, CM; Ran, JX; Hu, GX; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2010/03/09 hydrogen sensor  AlGaN/GaN heterostructure  Schottky diode   Effect of annealing on depletion layer width and Schottky barrier height of PT/BA0.6?SUB?SR0.4?SUB?TIO3 ?SUB? interface 会议论文 Orlando, FL, United states, February 25, 2007 - March 1, 2007 作者:  Fu, Chunlin[1,2];  Cai, Wei[1];  Pan, Fusheng[2] 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/11/30