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科研机构
半导体研究所 [2]
内容类型
会议论文 [2]
发表日期
2002 [1]
2000 [1]
学科主题
半导体材料 [2]
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Detection of indium segregation effects in InGaAs/GaAs quantum wells using reflectance-difference spectrometry
会议论文
9th international conference on defects: recognition, imaging and physics in semiconductors (drip ix), rimini, italy, sep 24-28, 2001
作者:
Xu B
;
Ye XL
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提交时间:2010/11/15
reflectance-difference spectroscopy
indium segregation
InGaAs/GaAs quantum wells
EPITAXY-GROWN INGAAS/GAAS
SURFACE SEGREGATION
INTERFACE
Energy band and acceptor binding energy of GaN and AlxGa1-xN
会议论文
iumrs international conference of advanced materials, beijing, peoples r china, jun 13-18, 1999
Xia JB
;
Cheah KW
;
Wang XL
;
Sun DZ
;
Kong MY
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浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2010/11/15
acceptor binding energy
hole effective-mass Hamiltonian
wurtzite GaN
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