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科研机构
山东大学 [13]
内容类型
会议论文 [13]
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2011 [1]
2010 [1]
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内容类型:会议论文
专题:山东大学
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New materials for semi-insulating sic single crystal growth by PVT method
会议论文
12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, ECSCRM 2018, September 2, 2018 - September 6, 2018
作者:
Choi, Jeong-Min
;
Lee, Chae-Young
;
Kim, Dae-Sung
;
Park, Mi-Seon
;
Jang, Yeon-Suk
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2019/12/31
Structural strain in single layer graphene fabricated on SiC
会议论文
12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, ECSCRM 2018, September 2, 2018 - September 6, 2018
作者:
Yu, Wancheng
;
Chen, Xiufang
;
Hu, Xiaobo
;
Xu, Xiangang
;
Jin, Peng
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/31
Variation of vanadium incorporation in semi-insulating SiC single crystals grown by PVT method
会议论文
12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, ECSCRM 2018, September 2, 2018 - September 6, 2018
作者:
Lee, Chae-Young
;
Choi, Jeong-Min
;
Kim, Dae-Sung
;
Park, Mi-Seon
;
Jang, Yeon-Suk
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2019/12/31
Reduction of dislocation density of sic crystals grown on seeds after h2etching
会议论文
11th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, ECSCRM 2016, September 25, 2016 - September 29, 2016
作者:
Chen, Xiufang
;
Zhang, Fusheng
;
Yang, Xianglong
;
Peng, Yan
;
Xie, Xuejian
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2019/12/31
Growth and temperature-depending raman characterization of different nitrogen-doped 4H-SiC crystals
会议论文
11th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, ECSCRM 2016, 25 September 2016 through 29 September 2016
作者:
Yang, X.L.
;
Chen, X.F.
;
Peng, Y.
;
Xie, X.J.
;
Hu, X.B.
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/31
Electrical properties
N-doped SiC
Phonon lifetime
Raman spectra
Structural characterization of hexagonal GaN thin films grown by MOCVD on 4H-SiC substrate
会议论文
第十二届中国国际半导体照明论坛
作者:
Heng Zhang
;
Longfei Xiao
;
Shuang Qu
;
Chengxin Wang
;
Xiaobo Hu
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/12/31
silicon carbide
metal-organic chemical vapor deposition
X-ray diffraction
Research on Properties of SiC Coating Inert Anode for Aluminum Electrolysis
会议论文
11th International Conference in Asia of the International-Union-of-Materials-Research-Societies, SEP 25-28, 2010
作者:
Zhang Li-peng
;
Yu Xian-jin
;
Ge Zhi-wei
;
Dong Yun-hui
;
Li Dang-gang
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2019/12/31
aluminum electrolysis
silicon carbide
coating
inert anode
Characterization of Silicon Carbide Grown on RB-SiC by Chemical Vapor Deposition
会议论文
6th China International Conference on High-Performance Ceramics (CICC-6), AUG 16-19, 2009
作者:
Meng Fantao
;
Du Shanyi
;
Tian Guishan
;
Zhang Yumin
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/31
Chemical vapor deposition
Silicon carbide
Reaction-bonded SiC
SiC
whiskers
Identification of polytypes in sublimation grown 4H-SiC crystals by high resolution X-ray diffractometry
会议论文
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2005), SEP 18-23, 2005
作者:
Dong, Jie
;
Wang, Li
;
Hu, Xiaobo
;
Li, Xianxiang
;
Li, Juan
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2019/12/31
high resolution X-ray diffraction
polytype identification
Polytype control in 6H-SiC grown via sublimation method
会议论文
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2005), SEP 18-23, 2005
作者:
Li, Xianxiang
;
Jiang, Shouzhen
;
Hu, Xiaobo
;
Dong, Jie
;
Li, Juan
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/12/31
polytype
step flow growth mechanism
growth interface
growth rate
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