×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
西安光学精密机械研... [42]
内容类型
专利 [42]
发表日期
2013 [2]
2008 [1]
2007 [1]
2006 [2]
2005 [2]
2004 [2]
更多...
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共42条,第1-10条
帮助
限定条件
内容类型:专利
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Application-oriented nitride substrates for epitaxial growth of electronic and optoelectronic device structures
专利
专利号: US8699537, 申请日期: 2014-04-15, 公开日期: 2014-04-15
作者:
SHARMA, TARUN KUMAR
;
TOWE, ELIAS
收藏
  |  
浏览/下载:8/0
  |  
提交时间:2019/12/26
Method of forming a group III-nitride crystalline film on a patterned substrate by hydride vapor phase epitaxy (HVPE)
专利
专利号: US8507304, 申请日期: 2013-08-13, 公开日期: 2013-08-13
作者:
KRYLIOUK, OLGA
;
MELNIK, YURIY
;
KOJIRI, HIDEHIRO
;
ISHIKAWA, TETSUYA
收藏
  |  
浏览/下载:10/0
  |  
提交时间:2019/12/24
Passivated semiconductor surfaces
专利
专利号: US8369371, 申请日期: 2013-02-05, 公开日期: 2013-02-05
作者:
CHIN, ALAND K.
;
CHOW, PETER
收藏
  |  
浏览/下载:10/0
  |  
提交时间:2019/12/24
Vicinal semipolar iii-nitride substrates to compensate tilt of relaxed hetero-epitaxial layers
专利
专利号: WO2012058262A3, 申请日期: 2012-06-21, 公开日期: 2012-06-21
作者:
SPECK, JAMES S.
;
TYAGI, ANURAG
;
ROMANOV, ALEXEY E.
;
NAKAMURA, SHUJI
;
DENBAARS, STEVEN P.
收藏
  |  
浏览/下载:8/0
  |  
提交时间:2019/12/31
Group III nitride compound semiconductor on silicon and an epitaxial method of manufacturing the same
专利
专利号: EP1054442B1, 申请日期: 2011-11-30, 公开日期: 2011-11-30
作者:
KOIDE, NORIKATSU
;
KATO, HISAKI
收藏
  |  
浏览/下载:10/0
  |  
提交时间:2019/12/26
Fabrication method for algainnpassb based devices
专利
专利号: USR41336, 申请日期: 2010-05-18, 公开日期: 2010-05-18
作者:
KONDOW, MASAHIKO
;
UOMI, KAZUHISA
;
NAKAMURA, HITOSHI
收藏
  |  
浏览/下载:10/0
  |  
提交时间:2019/12/24
Semiconductor Saturable Absorber Reflector and Method to Fabricate Thereof
专利
专利号: US20090296767A1, 申请日期: 2009-12-03, 公开日期: 2009-12-03
作者:
OKHOTNIKOV, OLEG
;
GUINA, MIRCEA
;
GRUDININ, ANATOLY B.
收藏
  |  
浏览/下载:9/0
  |  
提交时间:2019/12/31
Nitride semiconductor laser device
专利
专利号: US7327770, 申请日期: 2008-02-05, 公开日期: 2008-02-05
作者:
RYOWA, TATSUYA
;
ISHIDA, MASAYA
;
MORISHITA, YUKIKO
;
KAMIKAWA, TAKESHI
;
MOTOKI, KENSAKU
收藏
  |  
浏览/下载:11/0
  |  
提交时间:2019/12/24
Optoelektronische Halbleiteranordnung auf Basis einer Nitridverbindung der Gruppe III
专利
专利号: DE69838313D1, 申请日期: 2007-10-11, 公开日期: 2007-10-11
作者:
DUGGAN GOEFFREY
收藏
  |  
浏览/下载:9/0
  |  
提交时间:2019/12/26
Production method of III nitride compound semiconductor and III nitride compound semiconductor element
专利
专利号: US7141444, 申请日期: 2006-11-28, 公开日期: 2006-11-28
作者:
KOIKE, MASAYOSHI
;
TEZEN, YUTA
;
YAMASHITA, HIROSHI
;
NAGAI, SEIJI
;
HIRAMATSU, TOSHIO
收藏
  |  
浏览/下载:18/0
  |  
提交时间:2019/12/24
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace