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| 一种具有布拉格反射层结构的氮化镓基发光元件 专利
专利号: CN209045596U, 申请日期: 2019-06-28, 公开日期: 2019-06-28
作者: 顾伟
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| 一种具有布拉格反射层结构的氮化镓基发光元件 专利
专利号: CN209045596U, 申请日期: 2019-06-28, 公开日期: 2019-06-28
作者: 顾伟
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| 一种低电阻、低热阻的氮化物半导体微腔激光器结构及其制备方法 专利
专利号: CN108718030A, 申请日期: 2018-10-30, 公开日期: 2018-10-30
作者: 孙钱; 冯美鑫; 周宇; 高宏伟; 杨辉
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| 一种p-GaN/ZnO基多量子阱/n-ZnO结构的发光二极管及激光器及其制备方法 专利
专利号: CN105762243A, 申请日期: 2016-07-13, 公开日期: 2016-07-13
作者: 叶志镇; 陈珊珊; 潘新花; 黄靖云; 何海平
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| 一种制备ZnO纳米栅栏的方法 专利
专利号: 2014107185831, 申请日期: 2016-03-16,
作者: 王亮 ; 陆文强; 宋金会; 冯双龙; 王凤丽
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| 一种制备三维ZnO纳米线网的方法 专利
专利号: 2014107185973, 申请日期: 2016-01-20,
作者: 王亮; 陆文强; 宋金会; 冯双龙; 王凤丽
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| 一种（B、Ga）共掺ZnO/ZnCdO/GaN结型结构的中子探测器的制备方法 专利
申请日期: 2016-01-01,
作者: 黄健[1]; 杨瑾[2]; 季欢欢[3]; 陆元曦[4]; 周家伟[5]
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| 一种（B、Ga）共掺ZnO/ZnCdO/GaN结型结构的中子探测器的制备方法 专利
申请日期: 2016-01-01,
作者: 黄健[1]; 杨瑾[2]; 季欢欢[3]; 陆元曦[4]; 周家伟[5]
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| 一种（B、Ga）共掺ZnO/ZnCdO/GaN结型结构的中子探测器的制备方法 专利
申请日期: 2016-01-01,
作者: 黄健[1]; 杨瑾[2]; 季欢欢[3]; 陆元曦[4]; 周家伟[5]
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| 一种（B、Ga）共掺ZnO/ZnCdO/GaN结型结构的中子探测器的制备方法 专利
申请日期: 2016-01-01,
作者: 黄健[1]; 杨瑾[2]; 季欢欢[3]; 陆元曦[4]; 周家伟[5]
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