| 一种低电阻、低热阻的氮化物半导体微腔激光器结构及其制备方法 | |
| 孙钱; 冯美鑫; 周宇; 高宏伟; 杨辉 | |
| 2018-10-30 | |
| 著作权人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院 |
| 专利号 | CN108718030A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种低电阻、低热阻的氮化物半导体微腔激光器结构及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种半导体微腔激光器结构及其制备方法，将在氮化物半导体的氮面制备微腔激光器，(0001)镓面的p型欧姆接触采用整面接触的方式，大幅降低微腔激光器的串联电阻；微腔激光器的热量直接传导到高热导率的热沉中，在氮面制备微腔激光器，采用湿法腐蚀的方法制作微腔激光器的侧壁，可以大幅提升微腔激光器的稳定性，采用AlInGaN、ITO、AZO、IGZO、多孔GaN、Ag、Al、ZnO、MgO、Si、SiO2、SiNx、TiO2、ZrO2、AlN、Al2O3、Ta2O5、HfO2、HfSiO4、AlON材料作为微腔激光器的光学限制层，提供强的光学限制。本发明提出的新型氮化物半导体微腔激光器结构具有电阻小、热阻低、易实现电注入和稳定性及可靠性好等优点，可大幅增强氮化物半导体微腔激光器的性能和寿命。 |
| 公开日期 | 2018-10-30 |
| 申请日期 | 2018-04-24 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57948]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 孙钱,冯美鑫,周宇,等. 一种低电阻、低热阻的氮化物半导体微腔激光器结构及其制备方法. CN108718030A. 2018-10-30. |
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