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Group-III nitride devices and systems on IBAD-textured substrates 专利
专利号: US10243105, 申请日期: 2019-03-26, 公开日期: 2019-03-26
作者:  MATIAS, VLADIMIR
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Application-oriented nitride substrates for epitaxial growth of electronic and optoelectronic device structures 专利
专利号: US8699537, 申请日期: 2014-04-15, 公开日期: 2014-04-15
作者:  SHARMA, TARUN KUMAR;  TOWE, ELIAS
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Nitride semiconductor structure 专利
专利号: US8652918, 申请日期: 2014-02-18, 公开日期: 2014-02-18
作者:  
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Method for making epitaxial structure 专利
专利号: US8633045, 申请日期: 2014-01-21, 公开日期: 2014-01-21
作者:  WEI, YANG;  FENG, CHEN;  FAN, SHOU-SHAN
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Semi-polar nitride-based light emitting structure and method of forming same 专利
专利号: US8330144, 申请日期: 2012-12-11, 公开日期: 2012-12-11
作者:  STRITTMATTER, ANDRE;  JOHNSON, NOBLE M.;  TEEPE, MARK;  CHUA, CHRISTOPHER L.;  YANG, ZHIHONG
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Method of zinc oxide film grown on the epitaxial lateral overgrowth gallium nitride template 专利
专利号: US7951639, 申请日期: 2011-05-31, 公开日期: 2011-05-31
作者:  CHUA, SOON JIN;  ZHOU, HAILONG;  LIN, JIANYI;  PAN, HUI
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Method of zinc oxide film grown on the epitaxial lateral overgrowth gallium nitride template 专利
专利号: SG147120A1, 申请日期: 2011-04-29, 公开日期: 2008-11-28
作者:  CHUA, SOO JIN;  ZHOU, HAILONG;  LIN, JIANYI;  PAN, HUI
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110 oriented group iv-vi semiconductor structure, and method for making and using the same 专利
专利号: EP1714359A2, 申请日期: 2006-10-25, 公开日期: 2006-10-25
作者:  ZHISHENG, SHI
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Production method for light emitting element 专利
专利号: US6939731, 申请日期: 2005-09-06, 公开日期: 2005-09-06
作者:  ISHIZAKI, JUN-YA
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Method of fabricating a semiconductor structure having quantum wires and a semiconductor device including such structure 专利
专利号: US6696372, 申请日期: 2004-02-24, 公开日期: 2004-02-24
作者:  WANG, BENZHONG;  CHUA, SOO JIN
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